トンネル障壁層

0403電子応用

フッ化物を用いた磁気メモリー素子により情報の記録保持特性を改善~脳型コンピューティング用メモリーへの適用に期待

フッ化リチウム(LiF)と酸化マグネシウム(MgO)を組み合わせたトンネル障壁層を用いた新構造の磁気トンネル接合素子「MTJ素子」を開発し、磁気メモリー(MRAM)の記録保持特性の指標となる垂直磁気異方性の改善に成功した。
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