1700応用理学一般 持続可能なスピントロニクス向けの地球豊富鉱物：赤鉄鉱 (An earth-abundant mineral for sustainable spintronics)
2025-04-25 スイス連邦工科大学ローザンヌ校（EPFL）スイス連邦工科大学ローザンヌ校（EPFL）の研究チームは、地球上に豊富に存在する鉱物である赤鉄鉱（ヘマタイト）が、次世代の超高速スピントロニクスデバイスに有望な材料であることを...
スピントロニクス
1700応用理学一般 
1700応用理学一般 バルクでは磁石に付かない物質を原子層厚の薄膜で磁石に変換 ～次世代スピントロニクスへの応用に期待～
2025-04-21 東北大学東北大学を中心とする研究チームは、通常は磁石に反応しない三セレン化二クロム（Cr₂Se₃）が、原子層レベルの薄膜としてグラフェン上に成長させることで強磁性を示すことを発見した。高輝度放射光X線やマイクロARPE...
0403電子応用 シリコン基板上の高性能酸化物スピントロニクスデバイスを開発（Scientists Develop High-performance Oxide-based Spintronic Devices on Silicon Substrates）
2025-04-15 中国科学院（CAS）Heterogeneous integration of single-crystal SrRuO₃ films on silicon for spin-orbit torque devices w...
1700応用理学一般 反強磁性準結晶の存在を初めて明らかに！ ～周期を持たない長距離反強磁性秩序を発見～
2025-04-11 東京理科大学,東北大学,Australian Nuclear Science and Technology Organisation,科学技術振興機構東京理科大学先進工学部の田村隆治教授らの研究グループは、東北大学など...
複雑なナノスピン構造に由来する物性を予測する第一原理計算手法を開発～次世代高速・低消費エネルギーのスピントロニクス素子開発に貢献～
2025-03-13 東北大学東北大学金属材料研究所の陳曉邑助教らの研究チームは、非共面スピン構造を持つ物質の電子状態を予測する新たな第一原理計算手法を開発しました。 従来、非共面スピン構造の解析は計算資源の制約から困難でしたが、今回の手...
1700応用理学一般 ノイズこそが信号だった！磁石の量子化を測定する新提案 ～光ポンププローブ法を用いた磁化ノイズ測定で量子化を直接観測～
2025-03-2-13 東京大学,慶應義塾大学,科学技術振興機構本研究成果の模式図東京大学物性研究所の研究チームは、光ポンププローブ法を用いて磁化ノイズを測定し、磁石の量子化を直接観測する新しい手法を提案しました。 従来、磁石の量子化は...
幻のマヨラナ粒子をスピントロニクスで捉える ～スピン流を用いて観測、実用的な量子計算の実現に期待～
2025-03-06 福井大学,東北大学,千葉大学,東京大学,科学技術振興機構福井大学、東北大学、千葉大学、東京大学、科学技術振興機構（JST）の共同研究チームは、量子スピン液体（QSL）状態に現れるマヨラナ粒子を、スピントロニクス技術を用...
0703金属材料 希土類元素置換で酸化鉄（黒さび）の磁化増大に成功～ありふれた磁石の性能向上のためのデザイン則を実証～
2025-03-03 東京大学東京大学大学院工学系研究科の研究グループは、マグネタイト（Fe₃O₄）に希土類元素であるユウロピウム（Eu）を添加することで、飽和磁化の増大に成功しました。成膜速度を調整してEuの結晶内分布を制御し、正四面体...
1700応用理学一般 反強磁性体における新たな光学現象を観測～電場印加により光の吸収が変化する性質を用いた磁区構造の可視化～
2025-01-17 東京大学発表のポイント◆ 時間反転対称性の破れた反強磁性体における新たな非相反光学現象「電場誘起方向二色性」の観測に成功しました。◆ 電場誘起方向二色性を利用することで、従来難しいとされてきた反強磁性体の磁区構造を簡便...
0403電子応用 磁場履歴を記憶できる新たな巨大抵抗変化メモリ素子を実現～磁場でも制御可能なメモリスタの開拓～
2025-01-10 東京大学発表のポイント 強磁性体／酸化物／半導体多層膜を電極とし半導体をチャネルとした二端子素子を作製し、定電圧下において、印加された磁場の履歴を記憶でき、それを巨大な抵抗変化として読み出せるメモリ（メモリスタ）を実現...
1700応用理学一般 ＮａｎｏＴｅｒａｓｕ×組成傾斜膜による超高効率な電子構造解析に成功 ～約１日の実験でハーフメタルの最適組成を同定、実用スピントロニクス材料開発加速に期待～
2025-01-09 物質・材料研究機構,東北大学,光科学イノベーションセンター,科学技術振興機構NIMS、東北大学と光科学イノベーションセンターからなる研究チームは、わずか1日の実験で、ハーフメタル性を有するCo-Mn-Siホイスラー合金...
1700応用理学一般 高性能スピントロニクス界面マルチフェロイク構造の信頼性を飛躍的に向上 ～次世代低消費電力メモリーへの応用に向けて前進～
2024-12-27 大阪大学,科学技術振興機構ポイント 次世代のスピントロニクスデバイスで使用される電圧情報書き込み技術（界面マルチフェロイク構造）に関して、スピントロニクス強磁性体（磁石）と圧電体の接合構造に金属バナジウム（Ｖ）界面原子...