0403電子応用 強誘電体二酸化ハフニウムを用いたトランジスターとメモリーの動作メカニズムを解明
強誘電体であるHfO2(二酸化ハフニウム)をゲート絶縁膜とするトランジスターがより低電圧で動作する仕組みを実験的に解明した。
0403電子応用
0502有機化学製品
2004放射線利用
1604情報ネットワーク
1601コンピュータ工学
1701物理及び化学
1701物理及び化学
1603情報システム・データ工学
0403電子応用
0403電子応用
1602ソフトウェア工学
1500経営工学一般