0403電子応用

ムーアの法則とエレクトロニクスの進化をさらに引き出す次元の統合(Integrating dimensions to get more out of Moore’s Law and advance electronics) 0403電子応用

ムーアの法則とエレクトロニクスの進化をさらに引き出す次元の統合(Integrating dimensions to get more out of Moore’s Law and advance electronics)

2024-01-10 ペンシルベニア州立大学(PennState) ◆ペンシルバニア州立大学の研究者らは、ムーアの法則による電子デバイスのスケーリング限界を乗り越える手段として、2D材料と3D統合を提案しています。現行のチップ技術では、トラ...
2024-01-11
0403電子応用
サブナノ厚の半導体のみを単離する手法～ランダムに基板上へ剥離された2D半導体を短時間で選別してデバイス作製へと繋ぐ方法～ 0403電子応用

サブナノ厚の半導体のみを単離する手法～ランダムに基板上へ剥離された2D半導体を短時間で選別してデバイス作製へと繋ぐ方法～

2024-01-10 東京大学 発表のポイント 溶媒内で超音波処理を行うことで、わずか1分という短時間でサブナノスケール厚である2次元半導体の単層を基板上に単離させることに成功しました。 単層と同時に基板上に転写されてしまう99％の不要なバ...
2024-01-10
0403電子応用
グラフェンから世界初の機能性半導体を開発(Researchers Create First Functional Semiconductor Made From Graphene) 0403電子応用

グラフェンから世界初の機能性半導体を開発(Researchers Create First Functional Semiconductor Made From Graphene)

2024-01-03 ジョージア工科大学 ◆ジョージア工科大学の研究者が、グラフェン（最強の結合で構成された炭素原子のシート）からなる世界初の機能的な半導体を開発。シリコンの限界に直面する中、この発見は電子機器の新たな手法の可能性を提示。 ...
2024-01-04
0403電子応用
ad
世界初、垂直ブリッジマン法による6インチβ型酸化ガリウム単結晶の作製に成功～β型酸化ガリウム基板の大口径化・高品質化に貢献～ 0403電子応用

世界初、垂直ブリッジマン法による6インチβ型酸化ガリウム単結晶の作製に成功～β型酸化ガリウム基板の大口径化・高品質化に貢献～

2023-12-25 産業技術総合研究所 （株）ノベルクリスタルテクノロジーは、垂直ブリッジマン（VB）法による6インチβ型酸化ガリウム（β-Ga2O3）単結晶の作製に世界で初めて成功しました。本成果により、β-Ga2O3基板の大口径化・高...
2023-12-25
0403電子応用
原子をランダムに並べた新材料で高性能メモリー素子を実現～低消費電力で超高速の書き込みができる不揮発性メモリーの実用化に大きく前進～ 0403電子応用

原子をランダムに並べた新材料で高性能メモリー素子を実現～低消費電力で超高速の書き込みができる不揮発性メモリーの実用化に大きく前進～

2023-12-22 産業技術総合研究所 ポイント 不揮発性メモリー(SOT-MRAM)の微細配線に用いる新材料として、アモルファスW-Ta-B合金を開発 SOT-MRAMの実用化のために不可欠な「低い書き込み消費電力」と「優れた耐熱性」を...
2023-12-22
0403電子応用
コンピューター・プロセッサーの高速化につながる全光スイッチを開発(Researchers develop all-optical switches that could lead to faster computer processors) 0403電子応用

コンピューター・プロセッサーの高速化につながる全光スイッチを開発(Researchers develop all-optical switches that could lead to faster computer processors)

2023-12-21 アルゴンヌ国立研究所(ANL) ◆アルゴンヌ国立研究所とパデュー大学の研究者は、従来の電子スイッチングの制約によりコンピュータープロセッサのクロック速度がほぼ限界に達している中、光を使用したオールオプティカルスイッチン...
2023-12-22
0403電子応用
人間の知能を模倣した新しい脳のようなトランジスタ(New brain-like transistor mimics human intelligence) 0403電子応用

人間の知能を模倣した新しい脳のようなトランジスタ(New brain-like transistor mimics human intelligence)

2023-12-20 ノースウェスタン大学 ◆ノースウェスタン大学、ボストンカレッジ、マサチューセッツ工科大学（MIT）の研究者らは、ヒトの脳を参考にした新しいシナプティックトランジスタを開発しました。このデバイスはヒトの脳と同様に情報を同...
2023-12-21
0403電子応用
複数のシリコン量子ドットから発生する微小電流を世界最高精度で比較・制御する技術を開発～量子力学におけるオームの法則 “量子メトロロジートライアングル” の検証に向けて技術課題をクリア～ 0403電子応用

複数のシリコン量子ドットから発生する微小電流を世界最高精度で比較・制御する技術を開発～量子力学におけるオームの法則 “量子メトロロジートライアングル” の検証に向けて技術課題をクリア～

2023-12-20 産業技術総合研究所 ポイント シリコン量子ドットで電子を一粒ずつ精密に制御し、大きさの決まった微小電流を発生 素子の違いによらず複数のシリコン量子ドットにおいて、大きさのそろった一定の電流を発生出来ることを世界で初めて...
2023-12-20
0403電子応用
大きな可能性を秘めたマイクロリング共振器(A micro-ring resonator with big potential) 0403電子応用

大きな可能性を秘めたマイクロリング共振器(A micro-ring resonator with big potential)

2023-12-18 スイス連邦工科大学ローザンヌ校(EPFL) ◆EPFLのPHOSLが開発したチップスケールのレーザーソースは、半導体レーザーの性能向上と短い波長の生成を可能にし、通信や計測などに革新をもたらす。半導体レーザーとシリコン...
2023-12-19
0403電子応用
インクジェット印刷で高速にスピントロニクス素子を作製～インクジェット印刷技術を用いて、フレキシブルなスピンゼーベック熱電変換素子を実現～ 0403電子応用

インクジェット印刷で高速にスピントロニクス素子を作製～インクジェット印刷技術を用いて、フレキシブルなスピンゼーベック熱電変換素子を実現～

2023-12-18 九州大学 ポイント 容易に曲げられ、曲げても特性を維持するスピンゼーベック熱電変換素子をインクジェット印刷で実現。 サーモパイル構造を有するスピンゼーベック熱電変換素子がインクジェット印刷で作製可能であることを実証した...
2023-12-18
0403電子応用
有望な組み合わせ：科学者が量子科学のための新しい材料の組み合わせを実証(A promising pairing: Scientists demonstrate new combination of materials for quantum science) 0403電子応用

有望な組み合わせ：科学者が量子科学のための新しい材料の組み合わせを実証(A promising pairing: Scientists demonstrate new combination of materials for quantum science)

2023-12-14 アルゴンヌ国立研究所(ANL) ◆科学者は、ダイヤモンドとリチウムナイオブ酸塩を組み合わせた新しい量子デバイスを成功裏に開発し、その光伝送効率を92%まで向上させました。ダイヤモンドの優れた特性とリチウムナイオブ酸塩の...
2023-12-15
0403電子応用
人手では探索困難な多数のパラメータを自動で最適化するAI 「高次元ベイズ最適化技術」を開発～高性能パワー半導体などのデバイスや先端材料のデータドリブン設計でDE・DXを推進～ 0403電子応用

人手では探索困難な多数のパラメータを自動で最適化するAI 「高次元ベイズ最適化技術」を開発～高性能パワー半導体などのデバイスや先端材料のデータドリブン設計でDE・DXを推進～

2023-12-12 株式会社東芝 概要 当社は、高性能パワー半導体などのデバイスや先端材料の設計において、人手では探索が困難な多数のパラメータを自動で最適化するAI「高次元ベイズ最適化技術」を開発しました。 デバイスや材料の設計においては...
2023-12-12
0403電子応用
ad
次のページ
タイトルとURLをコピーしました