0403電子応用 エキゾチックマテリアルを操作する新しい方法(Novel way to manipulate exotic materials)
2023-06-20 オークリッジ国立研究所(ORNL)◆オークリッジ国立研究所の科学者によると、内部は電気絶縁体のように振る舞うが表面は導体のように振る舞うトポロジカル絶縁体材料の進歩により、次世代エレクトロニクスと量子コンピューティング...
0403電子応用
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0403電子応用 異なる２次元結晶を重ねた界面で スピン偏極した光電流が流れることを発見 ～２次元物質界面における新しい光スピントロニクス機能の開拓～
2023-06-19 東京大学発表のポイント◆異なる結晶構造を持つ二次元結晶を重ねた界面に円偏光を照射することで、スピン偏極した光電流が生じることを発見した。◆観測された光電流が、電子の幾何学的性質によって説明できることを明らかにした。◆二...
0403電子応用 人間の視覚や記憶能力を模倣した小型デバイスが登場(Tiny device mimics human vision and memory abilities)
2023-06-15 ロイヤルメルボルン工科大学(RMIT)The neuromorphic vision chip (left) in a demonstration (in visible light) of the team's ex...
0403電子応用 大規模集積量子コンピューター制御回路のトランジスタが演算性能を低下させる起源を特定
高性能量子コンピューターの実用化に向けて1回の実行あたりの演算回数を増大させる技術の開発に道筋2023-06-12 産業技術総合研究所ポイント 極低温で動作する量子ビット制御用集積回路のノイズ発生の起源を解明 極低温では、原子サイズの欠陥に...
0403電子応用 原子層堆積法を用いたナノシート酸化物半導体トランジスタを開発～半導体の高集積化・高機能化へ期待～
2023-06-09 東京大学○発表のポイント：◆ナノシート状の酸化物半導体を用いて高性能・高信頼性なトランジスタを開発した。◆原子層堆積法により極めて薄い酸化物半導体の成膜方法を開発しデバイス集積した。◆半導体の高集積化とそれによる高機能...
0403電子応用 音声コマンド認識ＡＩの電力を３桁削減、新方式ＡＩプロセッサーを開発 ～乾電池１本で２年以上連続動作、ドローンやロボットへの応用に期待～
2023-06-09 東京大学,科学技術振興機構ポイント 音声コマンド認識ＡＩの消費電力を３桁削減可能な、布線論理型ＡＩプロセッサーを開発。 布線論理型ＡＩプロセッサーの課題は膨大な実装面積。そこで、チップ面積と電力を削減するため新たなアル...
0403電子応用 新しい超伝導ダイオードは、量子コンピュータや人工知能の性能を向上させる可能性がある。(New superconducting diode could improve performance of quantum computers and artificial intelligence)
2023-06-06 ミネソタ大学◆ミネソタ大学の研究チームが新しい超伝導ダイオードを開発しました。このデバイスはエネルギー効率が高く、複数の電気信号を同時に処理できる特徴を持っています。◆さらに、エネルギーの流れを制御するゲートが統合され...
0403電子応用 ニューロモーフィック・コンピューティングに光を当てる(Shining a Light on Neuromorphic Computing)
2023-06-02 ピッツバーグ大学◆光学メモリスターは、ニューロモーフィックコンピューティングの発展に鍵を握る可能性がある。その特性と潜在能力についてのレビュー記事が発表され、高帯域幅の計算や情報処理の革新に大きな役割を果たすことが示さ...
0403電子応用 LANLの研究者は、ニューロモルフィック・コンピューティングのための新しい人工シナプスを設計する(Los Alamos National Laboratory researchers design new artificial synapses for neuromorphic computing)
2023-06-01 ロスアラモス国立研究所(LANL)◆ロスアラモス国立研究所の科学者たちは、新しいインターフェース型メモリスティブデバイスを開発しました。このデバイスは人工シナプスを構築するために使用できるとされ、次世代のニューロモーフ...
0403電子応用 スピントランジスタの実現に向けて酸化物素子で巨大磁気抵抗と電流変調の実現に成功～ナノスケール相転移技術の応用に向けた新たな可能性～
2023-05-31 東京大学発表のポイント◆スピントランジスタの基本となる強磁性体／半導体／強磁性体構造からなる横型2端子素子を単結晶酸化物を用いて作製することにより、従来の10倍以上の大きな磁気抵抗比を得ることに成功しました。ゲート電圧...
0403電子応用 1 個のデバイスでレーザーと LED の 2 機能を提供 (1 device, 2 functions: A laser and an LED)
2023-03-25 アメリカ合衆国・ロスアラモス国立研究所(LANL)・ LANL が、コロイダル量子ドット(QDs)による高輝度発光素子の主要な課題を克服し、光励起レーザーと高輝度 LED の両機能を提供するデバイスを開発。・ 集積エレ...
0403電子応用 スマートフォンの通信デバイスを小型化する新種のトランジスタ (New kind of transistor could shrink communications devices on smartphones)
2023-03-08 アメリカ合衆国・ミシガン大学・ ミシガン大学が、スカンジウムを添加した窒化アルミニウム(ScAlN)の強誘電性半導体による高電子移動度トランジスタ(FeHEMTs)の実証に成功。・ 同大学では先般、次世代半導体の窒化ガ...
