0403電子応用 ポリマー半導体トランジスターで最高のスイッチング特性を実現
ポリマー半導体による薄膜トランジスター（ＴＦＴ）のスイッチングの鋭さと安定性を決定づける要因を解明し、これを元に従来にない高急峻なスイッチング動作・高いバイアス耐性・低電圧駆動を同時に示す、実用的な塗布型ＴＦＴの構築に成功した。
0403電子応用
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0403電子応用 ヒトの目の様に錯覚する人工視覚素子を開発～ソフトウェアを用いない画像処理を可能に～
固体中のイオンの移動とイオン間の相互作用を利用して動作する人工視覚イオニクス素子を開発した。明暗の境界付近が強調される人間の目の錯視を模倣することを世界で初めて実証した。
0403電子応用 量子コンピューター設計の「ミッシングピース」を探る
3D誘電共振器を活用して数百万のスピン量子ビット(ｑビット）を制御する技術を開発。ワイヤによるチップスペースの使い切り、電力の大量消費や熱の発生を伴わずに数百万ｑビットの制御を可能にする量子コンピュータ－・アーキテクチャを特定。少数の q ビット制御による従来の量子プロセッサの概念実証モデル研究を超えて、量子コンピューター実現の主要な障壁の一つ克服するもの。
0403電子応用 ディスプレイに直接触れずに操作が可能な 「静電ホバータッチディスプレイ」を開発
ディスプレイに触れずに、指を浮かせた状態で操作できる「静電ホバータッチディスプレイ」を開発した。
0403電子応用 光を使って回路を操る ～フレキシブル有機電子回路の電気特性制御を実現～
光による分子構造変化を利用した有機電子回路の電気特性制御に成功した。有機電子回路の電気特性制御には複雑な構造・材料選択が必要でしたが、同一の構造・材料に対して部分的に光照射を行うだけで電気特性制御を可能にした。
0403電子応用 シリコン基板を用いた窒化物超伝導量子ビットの開発に成功
超伝導材料にアルミニウムを使用しない超伝導量子ビットとして、シリコン基板上のエピタキシャル成長を用いた窒化物超伝導量子ビットの開発に成功した。
0403電子応用 新しい情報記録・処理デバイスの開発 (Scientists Invent a New Information Storage and Processing Device)
量子材料とスピントロニクス磁気デバイスを組合せた、ナノ狭窄構造のスピントロニクスレゾネータを開発。
0403電子応用 世界初、有機半導体で「絶縁体―金属転移」を実証
極めて高純度かつ欠陥のない有機半導体単結晶の1分子層（厚さ4 nm）に高密度にキャリアを注入することで二次元ホールガスが形成され、さらに4分子当たり1電荷に相当する高密度のホールを誘起したところ、「絶縁体―金属転移」を実験的に観測することに成功した。
0403電子応用 ポスト5 G・6 Gの材料開発に向け、誘電体基板の温度特性を計測する技術を確立
高周波回路などに使われる金属張の誘電体基板に対し、誘電率と導電率の温度特性を10 GHz～100 GHz超の超広帯域で計測する技術を確立した。温度制御を可能にした超広帯域動作の共振器を開発することにより、これまで未確立であった、室温から100 ℃までの温度域での超広帯域のミリ波帯材料計測を実現した。
0403電子応用 微小な熱流によるナノスケールスキルミオンの駆動に成功
絶縁体中の直径約60ナノメートルの磁気渦「スキルミオン」のクラスターを微小な熱流によって駆動させることに成功した。廃熱を利用するグリーン情報技術への応用に向けた電子デバイスの開発につながるものと期待。
0403電子応用 スマホやロボットなどで高効率なAI処理を行うプロセッサーアーキテクチャーを開発
スマートフォンにおける先進的な拡張現実（AR）アプリケーションやロボットにおける柔軟な動作制御など、電力供給量などの制約が厳しいエッジ機器でも、高効率な畳み込みニューラルネットワーク（CNN）推論処理を行うプロセッサーアーキテクチャーを開発し、大規模集積回路（LSI）を試作した。高度なリアルタイムAI処理の単独での実行が期待できる。
0403電子応用 SiCパワーデバイス「TED-MOS®」の物理モデルに基づく高自由度設計技術を開発
デバイスが短絡した際の破壊原因となる過電流について、その抑制機構に関する物理モデルを構築した。さらに本物理モデルに基づき、「TED-MOS®」の構造的特長を生かした高自由度なデバイス設計技術を開発した。