0403電子応用 1.25億ギガビット毎秒、ポート数10万超の世界最大容量の光スイッチ技術
小型低電力のシリコンフォトニクス光スイッチを多数用いて大規模化を実現する光伝送実験に成功。従来、制限要因となっていたポート間クロストークを正確に予測し、ネットワーク容量を最大化。
0403電子応用
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0403電子応用 Snを添加したIGZO材料を用いた三次元集積メモリデバイスを開発
Snを添加した酸化物半導体IGZOを用いたトランジスタと強誘電体HfO2キャパシタを集積し、プロセッサの集積回路の配線層に混載可能なメモリデバイス技術の開発に成功した。
0403電子応用 300 mmウエハー積層により単結晶トンネル接合素子をLSIに集積化
不揮発性メモリーMRAM用の単結晶記憶素子をシリコンLSIに集積化する製造プロセス技術を開発した。
0403電子応用 低電圧かつ長寿命のハフニア系強誘電体メモリを開発
１ボルト以下の極めて低い動作電圧で１００兆回の書き換え回数を達成できる強誘電体メモリの開発に成功。酸化ハフニウム系強誘電体の低温作製・極薄膜化・高い強誘電特性を両立させる技術を確立し、配線工程中での作製・低電圧でのデータ読み書き・高信頼性を備えた強誘電体メモリを実現。
0403電子応用 SiCモノリシックパワーICの開発に成功～世界初！SiC縦型MOSFETとSiC CMOSをワンチップ集積化～
炭化ケイ素（SiC）半導体を用い、耐電圧1.2 kVクラスの縦型MOSFETと、CMOS構成された駆動回路を同一チップに集積したモノリシックパワーICを世界で初めて実現し、そのスイッチング動作を確認した。
0403電子応用 革新的な ULTRARAMTM メモリーチップへの最初の一歩 (First steps towards revolutionary ULTRARAMTM memory chips)
独自に開発する新型のユニバーサルメモリの「ULTRARAMTM」を初めて小型(4-bit)アレイに集積し、次世代 ULTRARAMTM メモリチップのベースとなる新たなメモリアーキテクチャの実証に成功。共鳴トンネル効果を最大に活用できるようデバイス設計を変更し、初期プロトタイプの 2,000 倍の速度に加え、データ保持への影響無く、フラッシュメモリの最低でも 10 倍の P/E サイクルを達成した。
0403電子応用 1Vで動作する高性能薄膜トランジスタを印刷のみで作製
低温焼結塗布型シリカ (LCSS) を開発し、高性能な印刷薄膜トランジスタ (TFT) と、素子をつなぐ 3 次元印刷配線の形成を可能にした。
0403電子応用 ペロブスカイトナノ粒子において近赤外光による大きな超高速光変調を室温で実現
レーザー光パルスをハライドペロブスカイト半導体CsPbBr3ナノ粒子に照射すると、可視光領域の光がレーザー光パルスの当たっている間のみ超高速に変調され、その大きさが近赤外領域のレーザー光で特異に増大する現象を室温で発見した。
0403電子応用 徹底的に電子不足化した有機Π共役分子の創出に成功～高機能n型有機半導体材料の創製を目指して～
イミド基とイミン型窒素原子の同時挿入という分子設計指針に基づき、高性能なn型有機半導体として機能する新規電子不足π共役分子の創出に成功した。
0403電子応用 FPGAだけを用いた完全デジタル電波分光計の天文観測実証に成功！
完全デジタル電波分光計(All-Digital Radio Spectrometer; ADRS)を新たに開発した。FPGAと呼ばれるデジタル処理チップの中にアナログ-デジタル変換器を実装する技術に着目し、 世界で初めてとなる完全デジタル電波分光計の開発に成功した。
0403電子応用 革新的な極性金属を発見 電子のスピンと運動がロックした状態の制御に成功
空間反転対称性の破れた結晶の中で実現する電子のスピンと運動量がロックした状態を、構成元素を変化させることで制御できる金属物質を発見した。この物質は、ビスマスやアンチモンの二次元伝導層とマンガンなどからなる絶縁層が積層した物質で、二次元伝導層が正方形からジグザグ構造にわずかに歪むことで、空間反転対称性の破れた極性構造となることが実験的に明らかになった。
0403電子応用 世界初、分数電荷準粒子のアンドレーエフ反射の観測に成功
半導体を用いて電子１個よりも小さな電荷（分数電荷準粒子）のアンドレーエフ反射を観測することに成功した。これは２次元電子系が低温・強磁場中で示す分数量子ホール状態において、分数電荷準粒子が界面に入射する際、電子が透過し、分数電荷を持つ正孔が反射される現象。