0403電子応用

フォトニック・プロセッサーにより、極めて高いエネルギー効率で超高速AI計算が可能になる可能性(Photonic processor could enable ultrafast AI computations with extreme energy efficiency) 0403電子応用

フォトニック・プロセッサーにより、極めて高いエネルギー効率で超高速AI計算が可能になる可能性(Photonic processor could enable ultrafast AI computations with extreme energy efficiency)

2024-12-02 マサチューセッツ工科大学(MIT)マサチューセッツ工科大学（MIT）の研究者らは、光を用いてディープニューラルネットワークの主要な計算をチップ上で実行するフォトニックプロセッサを開発しました。このデバイスは、機械学習の...
2024-12-04
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研究者が自己組織化エレクトロニクスを実証(Researchers Demonstrate Self-Assembling Electronics) 0403電子応用

研究者が自己組織化エレクトロニクスを実証(Researchers Demonstrate Self-Assembling Electronics)

2024-12-02 ノースカロライナ州立大学(NCState)D-Met fabricated patterns produce components for potential use in microelectromechanical...
2024-12-03
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「遅い」のに高効率な情報処理技術を開発 ～生体神経組織の動作を模倣した低消費電力なトランジスタの動作実証に成功～ 0403電子応用

「遅い」のに高効率な情報処理技術を開発 ～生体神経組織の動作を模倣した低消費電力なトランジスタの動作実証に成功～

2024-11-28 産業技術総合研究所ポイント 固体中のイオンの動き制御により生体神経組織の動作を模倣できる低消費電力な素子を実証 ゆっくりとした素子動作でありながら高効率な情報処理を実現できることを明らかに 非常に小さな電力で動作するエ...
2024-11-28
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スピン波とイオンで実現！AI向け新デバイスが高性能を達成 0403電子応用

スピン波とイオンで実現！AI向け新デバイスが高性能を達成

2024-11-22 物質・材料研究機構,ファインセラミックスセンターNIMSとファインセラミックスセンターの研究チームは、スピン波（磁気の波）とイオン制御技術を組み合わせた次世代のAIデバイスを開発しました。概要 NIMSとファインセラミ...
2024-11-22
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シリコンフォトニクスによる光のスキルミオン生成に成功 ～新しいトポロジカル光ビームのオンチップ生成～ 0403電子応用

シリコンフォトニクスによる光のスキルミオン生成に成功 ～新しいトポロジカル光ビームのオンチップ生成～

2024-11-18 東京大学発表のポイント シリコン光集積回路プラットフォームを用いて、スキルミオンと呼ばれるトポロジカルな構造を持つ光ビーム(光スキルミオンビーム)を生成する手法を実証しました。 光スキルミオンビームの生成系を従来のベン...
2024-11-18
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パワー半導体「xEV用SiC-MOSFETチップ」サンプル提供開始 標準仕様のチップを初めて市場に供給し、xEVの普及と航続距離延伸や電費改善に貢献 0403電子応用

パワー半導体「xEV用SiC-MOSFETチップ」サンプル提供開始 標準仕様のチップを初めて市場に供給し、xEVの普及と航続距離延伸や電費改善に貢献

2024-11-12 三菱電機株式会社xEV用SiC-MOSFETを製造したウエハ（左）とサンプル提供を開始するチップ（右）（イメージ）三菱電機株式会社は、電気自動車（EV）やプライグインハイブリッド車（PHEV）などの電動車（以下、xEV...
2024-11-12
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ナノスケールのトランジスタは、より効率的なエレクトロニクスを可能にする可能性がある(Nanoscale transistors could enable more efficient electronics) 0403電子応用

ナノスケールのトランジスタは、より効率的なエレクトロニクスを可能にする可能性がある(Nanoscale transistors could enable more efficient electronics)

2024-11-04 マサチューセッツ工科大学(MIT)MITの研究者は、従来のシリコン技術の限界を超えるため、超薄型半導体材料を用いた新しい3Dトランジスタを開発しました。これらのトランジスタは、数ナノメートル幅の垂直ナノワイヤー構造を持...
2024-11-06
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圧電素子内蔵の高品質ナノメカニカル共振器(High-quality nanomechanical resonators with built-in piezoelectricity) 0403電子応用

圧電素子内蔵の高品質ナノメカニカル共振器(High-quality nanomechanical resonators with built-in piezoelectricity)

2024-11-05 チャルマース工科大学スウェーデンのチャルマース工科大学とドイツのマクデブルク大学の研究者は、高い機械的品質と圧電性を兼ね備えた新しいナノメカニカル共振器を開発しました。この共振器は、引張応力を持つ窒化アルミニウム（Al...
2024-11-06
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より高速なコンピューターチップの実現を導く電気で変調する光アンテナ (Electrically Modulated Light Antenna Points the Way to Faster Computer Chips) 0403電子応用

より高速なコンピューターチップの実現を導く電気で変調する光アンテナ (Electrically Modulated Light Antenna Points the Way to Faster Computer Chips)

2024-09-09 ドイツ連邦共和国・ユリウス・マクシミリアン大学ヴュルツブルク(JMU)・ JMU と南デンマーク大学(SDU)が、電気による変調の制御が可能なプラズモンナノ共振器を開発。・ 現在のコンピューターの速度は物理的な限界に達...
2024-10-31
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NRELが支援する研究努力は、遠くからハロゲン化物ペロブスカイトをねじる(NREL-Backed Research Effort Twists Halide Perovskites From a Distance) 0403電子応用

NRELが支援する研究努力は、遠くからハロゲン化物ペロブスカイトをねじる(NREL-Backed Research Effort Twists Halide Perovskites From a Distance)

2024-10-24 米国国立再生可能エネルギー研究所(NREL)米国エネルギー省のNRELとCHOISEが率いる研究チームが、新しいハライドペロブスカイト半導体のキラリティー制御技術を開発しました。この技術では、特定のキラル分子が表面から...
2024-10-26
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レーストラックメモリのビットエラー率決定に成功～ビット操作のエラー率を決定する評価手法を確立～ 0403電子応用

レーストラックメモリのビットエラー率決定に成功～ビット操作のエラー率を決定する評価手法を確立～

2024-10-24 東京大学発表のポイント ストレージクラスの次世代磁気メモリとして実用化が期待されているレーストラックメモリにおいて、ビット操作のエラー率を決定する新たな性能評価手法を確立した。 ビットエラー率は調査した範囲においてビッ...
2024-10-24
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光パルスによって刺激される物質が、よりエネルギー効率の高いスーパーコンピューティングへの飛躍となる可能性(Material stimulated by light pulses could be leap toward more energy-efficient supercomputing) 0403電子応用

光パルスによって刺激される物質が、よりエネルギー効率の高いスーパーコンピューティングへの飛躍となる可能性(Material stimulated by light pulses could be leap toward more energy-efficient supercomputing)

2024-10-16 アルゴンヌ国立研究所(ANL)研究者たちは、フェリ電気材料（フェロエレクトリック材料）が光パルスに適応する性質を発見し、これがニューラルネットワークの可塑性に似ていることを報告しました。この適応的な反応は、エネルギー効...
2024-10-17
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