0403電子応用

日常的なデバイスに向けたスペクトルセンシング技術の小さなチップによる大きなブレイクスルー (Tiny chip, big breakthrough in spectral sensing for everyday devices ) 0403電子応用

日常的なデバイスに向けたスペクトルセンシング技術の小さなチップによる大きなブレイクスルー (Tiny chip, big breakthrough in spectral sensing for everyday devices )

2025-01-23 フィンランド・アールト大学アールト大学の研究チームは、高性能なスペクトル分析を可能にする小型チップを開発した。従来の分光器は大型で高価だったが、このチップはAIを活用し、光学・機械部品なしで単一マイクロチップ上で高解像...
2025-03-24
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層厚を制御した人工強磁性細線の作製に成功～人工強磁性細線を利用した大容量メモリや磁気センサ開発へ道筋～ 0403電子応用

層厚を制御した人工強磁性細線の作製に成功～人工強磁性細線を利用した大容量メモリや磁気センサ開発へ道筋～

2025-03-24 岐阜大学​岐阜大学大学院自然科学技術研究科の研究グループは、名古屋大学、早稲田大学、京都大学と共同で、層厚を制御した多層構造の人工強磁性細線の作製に成功しました。​この細線は、二浴電析法と細孔ナノテンプレートを用いて作...
2025-03-24
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半導体の製造プロセスを”一気通貫”で最適化！AI活用により企業の壁を越えスピーディな性能改善に貢献 0403電子応用

半導体の製造プロセスを”一気通貫”で最適化！AI活用により企業の壁を越えスピーディな性能改善に貢献

2025-03-24 名古屋大学​名古屋大学未来材料・システム研究所の宇治原徹教授らの研究グループは、AIを活用して半導体製造プロセス全体を最適化するプラットフォーム「メタファクトリー」を開発しました。​このプラットフォームでは、Siウェー...
2025-03-24
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ダイヤモンドパワーデバイスのアンペア級の高速スイッチング動作を確認～次世代モビリティのパワーユニット駆動に向けたダイヤモンドパワー半導体～ 0403電子応用

ダイヤモンドパワーデバイスのアンペア級の高速スイッチング動作を確認～次世代モビリティのパワーユニット駆動に向けたダイヤモンドパワー半導体～

2025-03-24 産業技術総合研究所産業技術総合研究所と本田技術研究所は、自動車駆動用途に向けた高電圧・大電流対応のダイヤモンドMOSFETを開発した。これは2.5アンペア動作で立下り時間19ナノ秒、立上り時間32ナノ秒の高速スイッチン...
2025-03-24
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マイクロ波と光量子ビットの架け橋となる低ノイズ変換器を開発（Low-Noise Transducers to Bridge the Gap Between Microwave and Optical Qubits） 0403電子応用

マイクロ波と光量子ビットの架け橋となる低ノイズ変換器を開発（Low-Noise Transducers to Bridge the Gap Between Microwave and Optical Qubits）

2025-03-19 カリフォルニア工科大学（Caltech）カリフォルニア工科大学の研究チームは、マイクロ波フォトンを光フォトンに効率的かつ低ノイズで変換するオンチップ型トランスデューサを開発しました。このデバイスは、シリコン製の微小ビー...
2025-03-21
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新半導体から世界最小のLEDを開発（World’s smallest LEDs from a new semiconductor） 0403電子応用

新半導体から世界最小のLEDを開発（World’s smallest LEDs from a new semiconductor）

2025-03-20 浙江大学（ZJU）浙江大学とケンブリッジ大学の研究者らは、ペロブスカイト半導体を用いた世界最小のLED（発光ダイオード）「ナノPeLED」を開発しました。この新技術により、ピクセルサイズはわずか90ナノメートルまで縮小...
2025-03-21
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次世代3Dトランジスタがエネルギー効率の高い電子機器を変革（Next-Gen 3D Transistors Transform Energy-Efficient Electronics） 0403電子応用

次世代3Dトランジスタがエネルギー効率の高い電子機器を変革（Next-Gen 3D Transistors Transform Energy-Efficient Electronics）

2025-03-19 カリフォルニア大学サンタバーバラ校 (UCSB)​カリフォルニア大学サンタバーバラ校（UCSB）の研究者たちは、二次元（2D）半導体を用いた新しい三次元（3D）トランジスタ「NXFET」を開発し、エネルギー効率と性能の...
2025-03-20
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高スイッチング周波数動作の実現に向けたパワーデバイスの高周波特性評価を手軽に～パワーデバイスのSパラメータを汎用的に測定できるシステムを開発～ 0403電子応用

高スイッチング周波数動作の実現に向けたパワーデバイスの高周波特性評価を手軽に～パワーデバイスのSパラメータを汎用的に測定できるシステムを開発～

2025-03-19 産業技術総合研究所産業技術総合研究所（産総研）は、株式会社テクノプローブおよびキーサイト・テクノロジー株式会社と共同で、表面実装型パワーデバイスの高周波特性を簡便かつ汎用的に評価できるシステムを開発しました。 このシス...
2025-03-19
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超広帯域フォトニックチップが光信号を増幅 (Ultra-broadband Photonic Chip Boosts Optical Signals) 0403電子応用

超広帯域フォトニックチップが光信号を増幅 (Ultra-broadband Photonic Chip Boosts Optical Signals)

2025-03-18 スイス連邦工科大学ローザンヌ校 (EPFL)スイス連邦工科大学ローザンヌ校（EPFL）とIBMリサーチの研究者は、従来の光増幅器を超える性能を持つフォトニックチップベースの光増幅器を開発した。この増幅器は、ガリウムリン...
2025-03-19
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パワー半導体のスイッチング損失を自動低減するゲート駆動ICチップの適用範囲を拡大～一般的な3本足パッケージのパワー半導体にも適用可能に～ 0403電子応用

パワー半導体のスイッチング損失を自動低減するゲート駆動ICチップの適用範囲を拡大～一般的な3本足パッケージのパワー半導体にも適用可能に～

2025-03-17 東京大学東京大学生産技術研究所の高宮真教授らの研究グループは、パワー半導体のスイッチング損失を自動で低減するゲート駆動ICチップの適用範囲を拡大した。従来は4本足パッケージに限られていたが、今回の改良により、一般的な3...
2025-03-18
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基板工学によるパワーエレクトロニクスの進歩(NREL Researchers Advance Substrate Engineering Pathways To Improve Power Electronics) 0403電子応用

基板工学によるパワーエレクトロニクスの進歩(NREL Researchers Advance Substrate Engineering Pathways To Improve Power Electronics)

2025-03-17 米国国立再生可能エネルギー研究所（NREL）米国立再生可能エネルギー研究所（NREL）の研究者たちは、電力エレクトロニクスの性能向上を目指し、基板工学の新たな道を探求している。特に、広帯域ギャップ材料である窒化アルミニ...
2025-03-18
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パワー半導体のスイッチング損失を自動低減するゲート駆動ICチップの適用範囲を約5倍に拡大します～一般的な3端子パッケージのパワー半導体にも適用可能に～ 0403電子応用

パワー半導体のスイッチング損失を自動低減するゲート駆動ICチップの適用範囲を約5倍に拡大します～一般的な3端子パッケージのパワー半導体にも適用可能に～

2025-03-17 新エネルギー・産業技術総合開発機構図1　開発した自動波形変化ゲート駆動ICのチップ写真（提供：東京大学生産技術研究所）​国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）は、東京大学生産技術研究所を中心と...
2025-03-17
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