0403電子応用

散逸的な磁壁運動による創発電場の発生~磁壁の電流駆動における「摩擦」が生む巨大応答~ 0403電子応用

散逸的な磁壁運動による創発電場の発生~磁壁の電流駆動における「摩擦」が生む巨大応答~

2026-01-15 理化学研究所,東京大学,科学技術振興機構,ニューサウスウェールズ大学理化学研究所・東京大学などの国際共同研究グループは、磁性体中の磁壁を交流電流で振動させたとき、散逸(摩擦)を伴う磁壁運動によって量子力学的な「創発電場...
酸素分子の「スピン」が引き起こす分子配列の歪みを可視化~原子位置から磁性を分析する道が開ける~ 0403電子応用

酸素分子の「スピン」が引き起こす分子配列の歪みを可視化~原子位置から磁性を分析する道が開ける~

2026-01-15 東京大学,北海道大学東京大学と北海道大学の研究グループは、非接触原子間力顕微鏡(AFM)を用いて、銀基板上に吸着した酸素分子(O₂)単分子層を原子レベルで非破壊観察し、分子が持つスピンに起因する分子配列の歪みを実空間で...
シリコンに注入した水素が自由電子を生成するメカニズムを世界で初めて解明~シリコンパワー半導体の電子濃度制御を高度化し、電力損失低減に貢献~ 0403電子応用

シリコンに注入した水素が自由電子を生成するメカニズムを世界で初めて解明~シリコンパワー半導体の電子濃度制御を高度化し、電力損失低減に貢献~

2026-01-14 東京科学大学東京科学大学(Science Tokyo)、三菱電機、筑波大学、Quemixの4者は、シリコンに注入した水素が特定欠陥(I4欠陥=格子間シリコン対由来)と結合することで自由電子を生成する機構を世界で初めて解...
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アルゴンヌとインテル、シリコン量子プロセッサ共同開発(Argonne launches silicon quantum processor collaboration with Intel) 0403電子応用

アルゴンヌとインテル、シリコン量子プロセッサ共同開発(Argonne launches silicon quantum processor collaboration with Intel)

2026-01-06 アルゴンヌ国立研究所(ANL)米国エネルギー省(DOE)傘下のQ-NEXT国立量子情報科学研究センターが主導し、Argonne National LaboratoryとIntelが協力して、シリコン量子ドットに基づく1...
シナプスの機能をナノサイズの磁気メモリスタで模倣~脳の機能をハードウエアで模擬するブレインモルフィックシステムへの応用に期待~ 0403電子応用

シナプスの機能をナノサイズの磁気メモリスタで模倣~脳の機能をハードウエアで模擬するブレインモルフィックシステムへの応用に期待~

2026-01-09 産業技術総合研究所産総研と物質・材料研究機構の研究チームは、鉄–マンガン基合金の磁性超薄膜を用いたナノサイズ磁気メモリスタを開発し、脳のシナプス機能の模倣に成功した。熱処理によりスピノーダル分解が自発的に起き、磁気記憶...
平面光学の予期せぬブレークスルー―シリカメタ表面の可能性を発見(An unexpected breakthrough in flat optics) 0403電子応用

平面光学の予期せぬブレークスルー―シリカメタ表面の可能性を発見(An unexpected breakthrough in flat optics)

2026-01-08 ハーバード大学ハーバード大学応用科学・工学スクール(SEAS)の研究チームは、フラットオプティクス(平面光学)分野で予想外のブレークスルーを達成した。従来、メタサーフェスと呼ばれる超薄型光学素子は、設計波長や入射条件が...
強誘電体材料がデータ記録の可能性を拡大(Ferroelectric materials boost data storage potential) 0403電子応用

強誘電体材料がデータ記録の可能性を拡大(Ferroelectric materials boost data storage potential)

2026-01-05 オークリッジ国立研究所(ORNL)米国オークリッジ国立研究所(ORNL)の研究チームは、強誘電体材料を用いて次世代データ記憶容量を大幅に高める可能性を示した。強誘電体は外部電場によって分極状態を反転でき、その状態を保持...
強誘電トンネル接合メモリーのTER比は微細化により向上~次世代不揮発メモリーの高性能化に貢献~ 0403電子応用

強誘電トンネル接合メモリーのTER比は微細化により向上~次世代不揮発メモリーの高性能化に貢献~

2026-01-07 東京科学大学,科学技術振興機構東京科学大学総合研究院フロンティア材料研究所の真島豊教授らの研究グループは、次世代不揮発性メモリーとして注目される強誘電トンネル接合(FTJ)において、素子の微細化によりトンネル電気抵抗効...
AIで光学系設計を数か月からミリ秒に短縮(AI approach takes optical system design from months to milliseconds) 0403電子応用

AIで光学系設計を数か月からミリ秒に短縮(AI approach takes optical system design from months to milliseconds)

2026-01-05 ペンシルベニア州立大学(Penn State)ペンシルベニア州立大学の工学系研究チームは、従来は数か月を要していた光学システム設計を、わずかミリ秒単位で実行可能にするAI手法を開発した。光学レンズやイメージングシステム...
ジョセフソン接合は一つの超伝導体でも可能に(Josephson junctions are possible with only one superconductor) 0403電子応用

ジョセフソン接合は一つの超伝導体でも可能に(Josephson junctions are possible with only one superconductor)

2025-12-29 バッファロー大学(UB)米ニューヨーク州立大学バッファロー校の研究チームは、従来2つの超伝導体が必要とされてきたジョセフソン接合が、単一の超伝導体のみでも実現可能であることを示した。研究では、超伝導体と通常金属の界面に...
ペロブスカイト太陽電池性能を改善するパッシベーションの仕組みを3Dイメージングで解明(3D Imaging Unveils How Passivation Improves Perovskite Solar Cell Performance) 0403電子応用

ペロブスカイト太陽電池性能を改善するパッシベーションの仕組みを3Dイメージングで解明(3D Imaging Unveils How Passivation Improves Perovskite Solar Cell Performance)

2026-01-04 中国科学院(CAS)Three-dimensional mapping of electrical behavior in perovskite films. (Image by NIMTE)ペロブスカイト太陽電池は低...
新しい光学チップは生成AIの進歩に役立つ可能性がある(New optical chip can help advance generative AI) 0403電子応用

新しい光学チップは生成AIの進歩に役立つ可能性がある(New optical chip can help advance generative AI)

2025-12-31  上海交通大学 (SJTU)上海交通大学は、生成AI向けに大規模モデルを実行可能な全光学計算チップ「LightGen」を開発したと発表した。光を用いて情報処理を行う同チップは、数百万の光学ニューロン統合、全光学的な次元...
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