0403電子応用

量子科学用卓上精密レーザーのパワーをチップ・スケールへ(Bringing the power of tabletop precision lasers for quantum science to the chip scale) 0403電子応用

量子科学用卓上精密レーザーのパワーをチップ・スケールへ(Bringing the power of tabletop precision lasers for quantum science to the chip scale)

2024-12-12 カリフォルニア大学サンタバーバラ校(UCSB)カリフォルニア大学サンタバーバラ校（UCSB）の研究チームは、量子科学の分野で使用される卓上精密レーザーの性能を、手のひらサイズのチップ上で実現する新たな技術を開発しました...
2024-12-13
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窒化アルミニウム系ショットキーバリアダイオードの電流輸送機構を解明～低炭素社会に寄与する新しいパワー半導体デバイスの実現に向け大きく前進～ 0403電子応用

窒化アルミニウム系ショットキーバリアダイオードの電流輸送機構を解明～低炭素社会に寄与する新しいパワー半導体デバイスの実現に向け大きく前進～

2024-12-10 東京大学発表のポイント NTTは、AlN系半導体の結晶成長・デバイス技術の開発により、ほぼ理想的な特性を示すAlN系ショットキーバリアダイオード（SBD）の作製に成功しました。 東京大学は、この理想的なAlN系SBDの...
2024-12-11
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電池のようなコンピューター・メモリーは1000°F以上でも作動し続ける(Battery-like computer memory keeps working above 1000°F) 0403電子応用

電池のようなコンピューター・メモリーは1000°F以上でも作動し続ける(Battery-like computer memory keeps working above 1000°F)

2024-12-09 ミシガン大学ミシガン大学の研究チームは、タンタル酸化物を用いた新しい固体メモリデバイスを開発し、600℃（1,112°F）以上の高温環境でもデータの保存と書き換えが可能であることを実証しました。 この技術は、従来のシリ...
2024-12-10
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シリコン量子ビット素子の特性が長い周期で変化する主な原因を特定～量子コンピューターの安定動作を実現する基本素子の製造技術開発に前進～ 0403電子応用

シリコン量子ビット素子の特性が長い周期で変化する主な原因を特定～量子コンピューターの安定動作を実現する基本素子の製造技術開発に前進～

2024-12-08 産業技術総合研究所ポイント シリコンFin型量子ビット素子における長周期の特性変化を解析 絶縁膜/半導体界面における電子のトラップ現象が特性変化の原因であることを初めて特定 量子コンピューターの利用可能時間を制限する各...
2024-12-09
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エネルギー効率に優れたマイクロエレクトロニクスの進展を支援する新しいコンピューターシミュレーショ ン (New Computer Simulations Help Scientists Advance Energy-Efficient Microelectronics) 0403電子応用

エネルギー効率に優れたマイクロエレクトロニクスの進展を支援する新しいコンピューターシミュレーショ ン (New Computer Simulations Help Scientists Advance Energy-Efficient Microelectronics)

2024-09-19 アメリカ合衆国・ローレンスバークレー国立研究所(LBNL)・ LBNL が、誘電体薄膜での負の静電容量(negative capacitance:NC)の発生を微視レベルで明らかにし、その強化とカスタム化を可能にする、...
2024-12-06
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低消費電力なメモリデバイスに貢献する新材料の開発に成功～独自の窒化物材料を改良し、次世代メモリの有力候補に名乗り～ 0403電子応用

低消費電力なメモリデバイスに貢献する新材料の開発に成功～独自の窒化物材料を改良し、次世代メモリの有力候補に名乗り～

2024-12-04 産業技術総合研究所ポイント 強誘電体メモリに使用する新材料として、窒化ガリウム（GaN）に金属添加物（Sc）を従来より高濃度に添加した、GaScN結晶を開発 開発したGaScNでは、従来の窒化物材料と比べ、メモリ動作に...
2024-12-04
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フォトニック・プロセッサーにより、極めて高いエネルギー効率で超高速AI計算が可能になる可能性(Photonic processor could enable ultrafast AI computations with extreme energy efficiency) 0403電子応用

フォトニック・プロセッサーにより、極めて高いエネルギー効率で超高速AI計算が可能になる可能性(Photonic processor could enable ultrafast AI computations with extreme energy efficiency)

2024-12-02 マサチューセッツ工科大学(MIT)マサチューセッツ工科大学（MIT）の研究者らは、光を用いてディープニューラルネットワークの主要な計算をチップ上で実行するフォトニックプロセッサを開発しました。このデバイスは、機械学習の...
2024-12-04
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研究者が自己組織化エレクトロニクスを実証(Researchers Demonstrate Self-Assembling Electronics) 0403電子応用

研究者が自己組織化エレクトロニクスを実証(Researchers Demonstrate Self-Assembling Electronics)

2024-12-02 ノースカロライナ州立大学(NCState)D-Met fabricated patterns produce components for potential use in microelectromechanical...
2024-12-03
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「遅い」のに高効率な情報処理技術を開発 ～生体神経組織の動作を模倣した低消費電力なトランジスタの動作実証に成功～ 0403電子応用

「遅い」のに高効率な情報処理技術を開発 ～生体神経組織の動作を模倣した低消費電力なトランジスタの動作実証に成功～

2024-11-28 産業技術総合研究所ポイント 固体中のイオンの動き制御により生体神経組織の動作を模倣できる低消費電力な素子を実証 ゆっくりとした素子動作でありながら高効率な情報処理を実現できることを明らかに 非常に小さな電力で動作するエ...
2024-11-28
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スピン波とイオンで実現！AI向け新デバイスが高性能を達成 0403電子応用

スピン波とイオンで実現！AI向け新デバイスが高性能を達成

2024-11-22 物質・材料研究機構,ファインセラミックスセンターNIMSとファインセラミックスセンターの研究チームは、スピン波（磁気の波）とイオン制御技術を組み合わせた次世代のAIデバイスを開発しました。概要 NIMSとファインセラミ...
2024-11-22
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シリコンフォトニクスによる光のスキルミオン生成に成功 ～新しいトポロジカル光ビームのオンチップ生成～ 0403電子応用

シリコンフォトニクスによる光のスキルミオン生成に成功 ～新しいトポロジカル光ビームのオンチップ生成～

2024-11-18 東京大学発表のポイント シリコン光集積回路プラットフォームを用いて、スキルミオンと呼ばれるトポロジカルな構造を持つ光ビーム(光スキルミオンビーム)を生成する手法を実証しました。 光スキルミオンビームの生成系を従来のベン...
2024-11-18
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パワー半導体「xEV用SiC-MOSFETチップ」サンプル提供開始 標準仕様のチップを初めて市場に供給し、xEVの普及と航続距離延伸や電費改善に貢献 0403電子応用

パワー半導体「xEV用SiC-MOSFETチップ」サンプル提供開始 標準仕様のチップを初めて市場に供給し、xEVの普及と航続距離延伸や電費改善に貢献

2024-11-12 三菱電機株式会社xEV用SiC-MOSFETを製造したウエハ（左）とサンプル提供を開始するチップ（右）（イメージ）三菱電機株式会社は、電気自動車（EV）やプライグインハイブリッド車（PHEV）などの電動車（以下、xEV...
2024-11-12
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