0403電子応用 超伝導量子ビットの高速・低誤り率多重読み出しを実現～超伝導量子コンピュータの性能向上に貢献する新技術～
2025-06-10 理化学研究所理化学研究所の国際研究チームは、超伝導量子ビットの高速・低誤り率な同時多重読み出し技術を開発しました。従来は読み出し高速化と誤り率低下が両立せず課題でしたが、読み出し回路に「内在型パーセルフィルタ」を組み込...
0403電子応用
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0403電子応用 極低温下で必要なマイクロ波信号を取り出すCMOS集積回路を開発～配線の効率化と冷凍機内の発熱抑制で量子コンピューターの大規模化に貢献～
2025-06-09 産業技術総合研究所AISTの研究チームは、極低温下（10 K以下）で稼働する量子ビット制御に不可欠なマイクロ波信号を取り出す「クライオCMOS集積回路」を開発しました。従来の制御では、多数のケーブルが冷凍機内を貫通し熱...
0403電子応用 ツインビーム光源による新たな非線形ラマン分光法の開発～低コスト・小型な高分解能ラマン計測装置へ～
2025-06-09 京都大学京都大学電子工学専攻の衞藤雄二郎准教授（当時）らの研究グループは、慶應義塾大学と共同で、新たな非線形ラマン分光法を開発しました。本手法は、従来必要だった高価なフェムト秒レーザー複数台の代わりに、チャープ構造を持...
0403電子応用 次世代半導体デバイス向け高性能/高機能な多結晶酸化物半導体材料 poly-IGO ナノシートを開発～次世代半導体の高性能化・高集積化・低消費電力化に期待～
2025-06-06 東京科学大学東京科学大学らの研究グループは、原子層堆積（ALD）法を用いて、Ga添加In₂O₃（poly-IGO）ナノシートを合成し、これをチャネル層に用いた電界効果トランジスタ（FET）を開発しました。このFETは、...
0403電子応用 光導波路多重型シリコン光行列演算回路を実証～AIに向けた超並列光コンピューティングへの道を拓く～
2025-06-06 東京大学東京大学は、未活用だった「光導波路多重」を用い、シリコンチップ上で高いスケーラビリティを持つ光行列演算回路を初めて実証。従来の波長・モード多重に加え、多ポート光検出器を活用することで、AI演算の基礎である行列-...
新しい量子材料の磁性が量子コンピュータを安定化（Magnetism in new exotic material opens the way for robust quantum computers）
2025-06-04 チャルマース工科大学スウェーデンのチャルマース工科大学、フィンランドのアールト大学、ヘルシンキ大学の研究チームは、磁性を利用して外部ノイズに強いトポロジカル量子状態を実現する新たな量子材料を開発しました。この材料は、従...
0403電子応用 大型分子で量子電荷流の寿命を延ばす方法を発見（How bigger molecules can help quantum charge flow last longer）
2025-06-04 スイス連邦工科大学ローザンヌ校(EPFL)Inserting –CH₂– chemical groups into propynal increases molecular size and flexibility, ...
0403電子応用 PKUのドープ研究がより強力な半導体と電子機器への扉を開く（‘Dope’ PKU research opens door to more powerful semiconductors and electronic devices）
2025-05-29 北京大学(PKU)Light-triggered doping of organic semiconductors. (a) Light-triggered doping mechanism and designed ...
0403電子応用 電力密度を大幅に向上可能な「樹脂絶縁型SiCパワー半導体モジュール」を開発～「小面積チップの分散配置設計」と「AIを活用した設計最適化」で、熱抵抗を21％低減。電力変換器の小型化によりカーボンニュートラルの実現に貢献～
2025-06-04 株式会社東芝東芝は、樹脂絶縁型SiC（炭化ケイ素）パワー半導体モジュールの開発に成功しました。このモジュールは、従来のセラミック絶縁型と比べて熱抵抗を21%低減し、冷却システムのサイズを最大61%縮小可能と試算されてい...
0403電子応用 電場による磁化反転の新たな経路を発見～素子設計の自由度拡張、低消費電力メモリ素子の実現へ弾み～
2025-05-30 東京科学大学東京科学大学と神奈川県立産業技術総合研究所の研究チームは、マルチフェロイック物質BiFe₀.₉Co₀.₁O₃の単結晶薄膜において、印加電場と垂直な方向の磁化反転を初めて観測しました。従来、電場と磁化の方向は...
0403電子応用 3次元半導体実装技術を推進する三つの革新技術を開発～演算チップの高速高精度実装・高品質電源供給を実現～
2025-05-29 東京科学大学東京科学大学（Science Tokyo）は、次世代3次元半導体実装技術「BBCube™」の実用化に向け、三つの革新技術を開発しました。第一に、直径300mmのワッフルウェーハ上に3万個以上のチップを10m...
0403電子応用 強磁性半導体の世界最高のキュリー温度を実現～スピン機能半導体デバイスの実現へ前進～
2025-05-27 東京科学大学東京科学大学（Science Tokyo）と東京大学の研究チームは、強磁性半導体 (Ga,Fe)Sb において、世界最高のキュリー温度530K（257℃）を達成しました。これは、従来の最高値420Kを大幅に...