SiC MOSFET

低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に低減したSiC MOSFETを開発

2022-07-22 東芝デバイス＆ストレージ株式会社東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に削減したSiC（炭化ケイ素） MOSFET注1を開発しました。本技術により、当社の第二世代SiC MOSFET製...

2022-07-27

0403電子応用

SiCパワー半導体技術を用いた高出力高安定化電源の開発

次世代のパワー半導体デバイスである「SiC MOSFET」を用いて、高出力と高い安定性を両立しつつ、出力電流の方向や大きさを広い範囲で変えられるコンパクトなパルス電源を開発した。

2018-06-20

0405電気設備