ScAlN/GaN

新規窒化物半導体ヘテロ接合における電子散乱機構を解明～高周波GaNトランジスタの性能向上に道筋～

2025-07-07 東京大学東京大学と住友電工は、新規窒化物半導体ScAlN/GaNヘテロ接合の高品質成長に成功し、その界面で形成される高密度二次元電子ガス（2DEG）の電子移動度が界面ラフネス散乱によって制限されていることを初めて明確に...

2025-07-07

0403電子応用