0403電子応用 超高速量子メモリ動作を引き出す素子設計 ―熱に頼らない高効率な磁気情報の書き込みに向けて―
2026-07-13 東京大学東京大学を中心とする研究グループは、カイラル反強磁性体Mn₃Snを用いたスピントロニクス素子において、磁性層を薄膜化することで、ジュール熱に依存しない**スピン軌道トルク（SOT）**による高効率な磁気スイッチ...
MRAM
0403電子応用 
0403電子応用 閃光で一瞬！スピンデバイスを作る ―ミリ秒光パルス照射で、磁気メモリ・センサの熱処理を約1.7秒で完了―
2026-05-12 大阪大学大阪大学産業科学研究所の今井亜希子助教、千葉大地教授らの研究グループは、磁気メモリ（MRAM）や磁気センサに使われる磁気トンネル接合（MTJ）の超高速熱処理技術を開発した。研究成果は2026年にnpj spin...
0403電子応用 電圧駆動による安定な磁気情報書き込みの新技術を開発 －超低消費電力な不揮発性メモリーMRAMの実現へ－
2026-04-03 産業技術総合研究所産業技術総合研究所（産総研）は、電圧によって磁気情報を書き込む新手法「電圧誘起スタティック磁化反転法」を開発し、次世代不揮発性メモリーMRAMの低消費電力化と高安定化を実現した。人工反強磁性体構造を用...
0403電子応用 「スピン半導体」の動作速度の限界を超える新発見～反強磁性体の従来磁石材料に対する工学的優位性を世界で初めて実証～
2025-08-22 東北大学東北大学・物質・材料研究機構・日本原子力研究開発機構の研究チームは、カイラル反強磁性体Mn₃Snを用いて、スピン半導体の動作速度における「反強磁性体の強磁性体に対する工学的優位性」を世界で初めて実証しました。従...
0403電子応用 高エントロピー酸化物で低抵抗・高性能TMR素子を実現〜大容量磁気ストレージでスマート社会を支える新材料〜
2025-07-09 物質・材料研究機構NIMSは、高エントロピー酸化物「LiTiMgAlGaO」をTMR素子のバリア層に用い、強い垂直磁化、高TMR比（80％超）、低電気抵抗の同時実現に成功した。従来のMgOバリアに比べてバリア高さが半分...
0403電子応用 世界初、CMOS／スピントロニクス融合技術を活用したエッジAI向け実証チップの開発に成功しました～従来比50倍以上のエネルギー効率改善を実証システムで確認～
2025-07-07 新エネルギー・産業技術総合開発機構,東北大学,株式会社アイシンNEDO、東北大学、アイシンは、CMOSとスピントロニクス技術を融合させた世界初のエッジAI向け実証チップを開発。大容量の不揮発性MRAMを内蔵し、OSやア...
0403電子応用 強誘電体の自発分極による強磁性体の保磁力の変化を確認～次世代低消費電力磁気メモリの構築へ前進～
2025-05-09 東京科学大学東京科学大学の研究チームは、強誘電体AlScNと強磁性体CoFeBを積層した構造において、強誘電体の自発分極が強磁性体の保磁力に影響を与えることを確認しました。この発見は、外部電圧を必要とせずに磁気異方性を...