MRAM

高エントロピー酸化物で低抵抗・高性能TMR素子を実現〜大容量磁気ストレージでスマート社会を支える新材料〜 0403電子応用

高エントロピー酸化物で低抵抗・高性能TMR素子を実現〜大容量磁気ストレージでスマート社会を支える新材料〜

2025-07-09 物質・材料研究機構NIMSは、高エントロピー酸化物「LiTiMgAlGaO」をTMR素子のバリア層に用い、強い垂直磁化、高TMR比(80%超)、低電気抵抗の同時実現に成功した。従来のMgOバリアに比べてバリア高さが半分...
世界初、CMOS/スピントロニクス融合技術を活用したエッジAI向け実証チップの開発に成功しました~従来比50倍以上のエネルギー効率改善を実証システムで確認~ 0403電子応用

世界初、CMOS/スピントロニクス融合技術を活用したエッジAI向け実証チップの開発に成功しました~従来比50倍以上のエネルギー効率改善を実証システムで確認~

2025-07-07 新エネルギー・産業技術総合開発機構,東北大学,株式会社アイシンNEDO、東北大学、アイシンは、CMOSとスピントロニクス技術を融合させた世界初のエッジAI向け実証チップを開発。大容量の不揮発性MRAMを内蔵し、OSやア...
強誘電体の自発分極による強磁性体の保磁力の変化を確認~次世代低消費電力磁気メモリの構築へ前進~ 0403電子応用

強誘電体の自発分極による強磁性体の保磁力の変化を確認~次世代低消費電力磁気メモリの構築へ前進~

2025-05-09 東京科学大学東京科学大学の研究チームは、強誘電体AlScNと強磁性体CoFeBを積層した構造において、強誘電体の自発分極が強磁性体の保磁力に影響を与えることを確認しました。この発見は、外部電圧を必要とせずに磁気異方性を...
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