0403電子応用 高圧で2D半導体GaTeのテラヘルツ放射を13倍に増強（New Study Reveals High Pressure Boosts Terahertz Emission by 13-Fold in 2D Semiconductor GaTe）
2025-11-28 中国科学院（CAS）中国科学院の研究チームは、2次元半導体GaTeに高圧を加えることで、テラヘルツ（THz）放射強度を最大13倍まで増強できることを発見した。ダイヤモンドアンビルセルによる高圧下で、GaTeの結晶構造と...