0403電子応用 化学結合なしで電気的に半導体をキラル化～「電気的キラリティ制御」という新パラダイムを開く～
2025-12-15 東京科学大学本研究は、非キラルな半導体表面に対し、化学結合を介さず電気的手法のみでキラリティを誘起する新技術を実証した。キラル分子イオンを含むイオン液体を用いた電気二重層トランジスタを構築し、電場制御によってキラル分子...
電気二重層トランジスタ
0403電子応用 
0403電子応用 神経系の動作をマネする世界最高速度の電気二重層トランジスタ～汎用性AI端末機器の高速化に期待～
2023-07-07 物質・材料研究機構,東京理科大学NIMSと東京理科大学からなる研究チームは、高イオン伝導性をもつセラミックス薄膜とダイヤモンドを用いて、世界最高速度で動作する電気二重層トランジスタを開発しました。概要 NIMSと東京理...
0403電子応用 二次元半導体ゲルマナンで高移動度のトランジスタを実現～次世代の層状半導体トランジスタの実現に道
2019-09-17 東京大学東京大学総合文化研究科の上野和紀准教授、深津晋教授らのグループは、ゲルマニウム原子を二次元シート状に配列して水素終端した構造をもつ層状半導体ゲルマナンを用いて p 型、n型の両側で動作するトランジスタを開発...