0403電子応用 逆転の発想でSiCパワー半導体の高品質化に成功～非酸化による酸化膜形成で高品質化10倍～
2020-08-24 京都大学 木本恒暢 工学研究科教授、松下雄一郎 東京工業大学特任准教授、小林拓真 同博士研究員らの研究グループは、省エネの切り札と言われるSiC（シリコンカーバイド）半導体で20年以上にわたって大きな問題になっていた...
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