0403電子応用 強誘電体の自発分極による強磁性体の保磁力の変化を確認~次世代低消費電力磁気メモリの構築へ前進~ 2025-05-09 東京科学大学東京科学大学の研究チームは、強誘電体AlScNと強磁性体CoFeBを積層した構造において、強誘電体の自発分極が強磁性体の保磁力に影響を与えることを確認しました。この発見は、外部電圧を必要とせずに磁気異方性を... 2025-05-09 0403電子応用
1700応用理学一般 交換バイアスを用いた反強磁性体の磁気状態の制御に成功~超高速・超省電力メモリの開発への大きな一歩~ 2024-04-26 東京大学朝倉 海寛(物理学専攻 博士課程学生)肥後 友也(物理学専攻 特任准教授 東京大学物性研究所 リサーチフェロー)松尾 拓海(物理学専攻 博士課程学生 ジョンズ・ホプキンス大学博士課程学生)上杉 良太(東京大学特... 2024-04-30 1700応用理学一般
1700応用理学一般 磁性半金属の特異な磁性をゲート電圧で変調することに成功 ~スピントロニクスへの応用展開に期待~ 2024-04-15 東京大学発表のポイント◆ 磁性半金属と呼ばれる特殊な強磁性体において、強磁性転移温度、磁気異方性、磁気輸送特性などの性質を、ゲート電圧で変調することに成功しました。◆ 強磁性転移温度の大幅な上昇、磁気異方性の完全な切り... 2024-04-15 1700応用理学一般
0501セラミックス及び無機化学製品 磁気異方性制御によるアンチスキルミオンの安定化に成功~トポロジカル磁気構造の安定化機構を解明~ 金属磁性体の磁気異方性を制御することで、アンチスキルミオンと呼ばれる磁気渦構造が安定化する条件を見いだしました。アンチスキルミオンの発現機構の解明につながり、さまざまな磁気デバイスへの応用研究に貢献すると期待できます。(Fe,Ni)3Pという金属磁性体に4d遷移金属をドープすることで、磁気異方性が劇的に変化し、室温で安定なアンチスキルミオンが形成されることを発見しました。さらに、アンチスキルミオンの安定化には、容易軸型の磁気異方性エネルギーと静磁エネルギーの適切なバランスが重要であることを実証しました。 2022-01-25 0501セラミックス及び無機化学製品