磁気抵抗メモリ（MRAM）

反強磁性体における垂直2値状態の電流制御に成功～不揮発性メモリの超高速化・超低消費電力化への大きな一歩～

2022-07-21 東京大学肥後友也（物理学専攻特任准教授／物性研究所リサーチフェロー併任）近藤浩太（理化学研究所上級研究員）野本拓也（先端科学技術研究センター助教）三輪真嗣（物性研究所准教授／トランススケール量子科学...

2022-07-21

0403電子応用