砒化ガリウムビスマス

新しい化合物半導体の低温生成領域を開拓

結晶欠陥の形成メカニズム解明や欠陥を生かした半導体デバイスの実現へ 2022-03-28 愛媛大学本研究成果のポイントビスマス（Bi）系III-V族半導体半金属混晶の一つであるGaAsBi（砒化ガリウムビスマス）の生成において、生成時に...

2022-03-28

1700応用理学一般