次世代半導体メモリー

原子構造の制御によって半導体・メモリー技術を進展（Harnessing atomic structure to advance semiconductor technology）

2026-11-05 ワシントン大学セントルイス校米国ワシントン大学セントルイス校の研究チームは、酸化ハフニウム（HfO₂）や酸化ジルコニウム（ZrO₂）の原子配列を制御することで、次世代半導体メモリーや高エネルギー密度蓄電素子の実現につな...

2026-11-09

0403電子応用