0403電子応用 IGZOと次世代機能性材料を融合した新デバイスの開発に成功
8ナノメートル(nm)の極薄の金属酸化物半導体IGZOをチャネルとして、スイッチング特性に優れた高移動度なトランジスター型強誘電体メモリーの開発に成功した。
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