0403電子応用 窒化アルミニウム系ショットキーバリアダイオードの電流輸送機構を解明~低炭素社会に寄与する新しいパワー半導体デバイスの実現に向け大きく前進~
2024-12-10 東京大学発表のポイント NTTは、AlN系半導体の結晶成長・デバイス技術の開発により、ほぼ理想的な特性を示すAlN系ショットキーバリアダイオード(SBD)の作製に成功しました。 東京大学は、この理想的なAlN系SBDの...
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