成長温度依存性

スパッタ法を用いて高品質なScAlN薄膜の作製に成功～成長温度の系統的変化が構造特性と電気特性に及ぼす影響を解明～

2025-08-08 東京理科大学,住友電気工業株式会社,東京大学東京理科大学、住友電気工業、東京大学の共同研究チームは、産業的に汎用性の高いスパッタ法で高品質な窒化スカンジウムアルミニウム（ScAlN）薄膜の作製に成功しました。成長温度を...

2025-08-08

0403電子応用