0403電子応用 ナノスケールで強誘電性が発現することを発見（Ferroelectricity Emerges at the Nanoscale）
2026-08-06 ローレンス・バークレー国立研究所（LBNL）米国ローレンス・バークレー国立研究所（LBNL）の研究チームは、従来は強誘電性を示さないと考えられていた材料が、ナノスケールまで微細化されることで自発分極を持つ強誘電性を発現...
強誘電性
0403電子応用 
0403電子応用 鉛フリーペロブスカイトで巨大光電流 －強誘電性を活用する環境調和型光電変換材料の実現に道－
2026-06-23 理化学研究所,東北大学,東京大学,住友化学株式会社理化学研究所、東北大学、東京大学、住友化学の共同研究グループは、鉛を含まない強誘電性ハライドペロブスカイトCsGeI₃薄膜において、可視光領域で既報材料を1桁以上上回る...
0501セラミックス及び無機化学製品 複数元素置換で鉄酸ビスマスに新しい機能を付与～コンデンサーと磁石の性質に加え、室温での負熱膨張を発現～
2025-11-28 東京科学大学東京科学大学らの研究グループは、ペロブスカイト型酸化物 BiFeO₃ の A・B サイト両方に元素置換を行い、強誘電性と強磁性を同時に示す新材料を開発した。ビスマス（Bi）をカルシウム（Ca）で、鉄（Fe）...
0403電子応用 次世代半導体の電場保持メカニズム解明（Advanced microelectronics: Why a next-gen semiconductor doesn’t fall to pieces）
2025-04-16 ミシガン大学ミシガン大学の研究チームは、次世代半導体素材「ウルツ鉱型強誘電性窒化物」の開発に成功しました。この素材は、互いに反対の電気分極を同時に保持する特性を持ち、従来の半導体では不安定とされてきた「同じ電荷を持つ領...
1700応用理学一般 新規ウルツ鉱構造の絶縁体物質の創生に成功～圧電体、強誘電体の材料群を飛躍的に増やす可能性を示唆～
2025-03-24 東京科学大学東京科学大学（Science Tokyo）物質理工学院の研究チームは、マグネシウム（Mg）とシリコン（Si）を含む新たなウルツ鉱構造の窒化物絶縁体「MgSiN₂」の薄膜作製に成功しました。従来、ウルツ鉱...
0400電気電子一般 カイラリティと電気ロイダルモーメントの結合に基づく新しい強誘電性発現機構を提案・実証～新しい磁性・導電性強誘電体開発の加速に期待～
2024-08-09 東京大学発表のポイント 磁性や導電性を併せもつ強誘電体は新しいデバイス原理に繋がるさまざまな電子機能の発現が期待されるため精力的に探索が行われていますが、そのような強誘電体を効率的に探索および設計するための指針は限ら...
1700応用理学一般 5層のグラフェンサンドイッチから希少な電子状態が出現(From a five-layer graphene sandwich, a rare electronic state emerges)
2023-10-18 マサチューセッツ工科大学(MIT)◆MITの物理学者たちは、5層のグラフェンが非常にまれな「マルチフェロイック」状態を示すことを発見しました。この状態では、グラフェンは異例の磁性と異種の電子挙動である「フェロ・バレート...
0501セラミックス及び無機化学製品 電子誘電体が圧電性と強誘電性を示すことを実証～圧電性と強誘電性を導く新たな機構の提案～
2023-07-21 京都大学京都大学大学院工学研究科 小西伸弥 研修員、田中勝久 教授、名古屋工業大学大学院工学研究科 漆原大典 助教、浅香透 准教授、オックスフォード・インストゥルメンツ株式会社 石井孝治 博士らの研究チームは、東京工業...
0501セラミックス及び無機化学製品 メタルフリーペロブスカイト物質が示す強誘電性と可視光発光の協奏～多機能デバイスへの応用に期待～
2022-06-23 京都大学金光義彦 化学研究所教授、半田岳人 同特定助教（現：コロンビア大学JSPS海外特別研究員）、湯本郷 同助教、若宮淳志 同教授、橋本塁人 同博士課程学生、中村智也 同助教の研究グループは、金属を含まないハライドペ...
0400電気電子一般 光で誘電率を大幅に自在制御できる液晶性強誘電体～電極で挟むだけのフォトコンデンサ素子への応用に期待～
「強誘電性」を持った「ネマチック液晶」に光応答性を付与し、光によって比誘電率を広範囲にわたって制御できる材料を開発しました。