0403電子応用 ホウ素が形成するパワーデバイス半導体中の特異構造~中性子ホログラフィーが拓く３Ｄ局所構造サイエンス~
2022-04-04 名古屋工業大学,茨城大学,広島市立大学,日本原子力研究開発機構,J-PARCセンター 【発表のポイント】 パワーデバイスＳｉＣの軽元素ドーパントの状態を世界で初めて決定しました。 日本でしかできない「白色中性子線ホログ...
広島市立大学
0403電子応用 
1900環境一般 温室効果・オゾン層破壊の原因である亜酸化窒素の生物的発生機構の解明
微生物によるN2O産生の主役である一酸化窒素還元酵素（NOR: Nitric Oxide Reductase）に着目し、N2O産生の分子機構を、X線自由電子レーザー（XFEL）施設SACLAを用いた無損傷結晶構造解析と時分割赤外分光法の最先端の計測手法を組み合わせることにより、原子・電子レベルで解明することに成功した。
0501セラミックス及び無機化学製品 化学的圧力で単結晶の欠陥を制御して最低熱伝導率を達成
マグネシウム錫化合物の単結晶をホウ素で部分的に置換することで化学的圧力が高くなり、マグネシウムの空孔欠陥の量が増加するとともに、転位の密度が増加することを明らかにした。