0404情報通信 既設光ファイバーを用いた大容量マルチバンド波長多重伝送に成功～現状の商用光伝送技術に比べて5.2倍の波長多重度での伝送が可能～
2023-12-04 新エネルギー・産業技術総合開発機構,富士通株式会社,株式会社KDDI総合研究所NEDOが委託する「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業」（以下、本事業）の一環で、富士通株式会社と株式会社KDDI総合研究所は今...
富士通セミコンダクターメモリソリューション
0404情報通信 
0403電子応用 100兆回の書込みを保証する8MビットFRAMを開発
FRAM製品では初めてとなる100兆回の書込み回数を保証した製品として、パラレルインターフェースの8MビットFRAM「MB85R8M2TA」のサンプル提供を開始しました。本製品は、当社従来品よりもアクセススピードを約30%高速化するとともに、動作電流を10%削減しており、高速動作と低消費電力を両立させた不揮発性メモリです。これまでSRAMが使われていた高速動作を必要とする産業機械に最適なメモリです。
0403電子応用 低電圧かつ長寿命のハフニア系強誘電体メモリを開発
１ボルト以下の極めて低い動作電圧で１００兆回の書き換え回数を達成できる強誘電体メモリの開発に成功。酸化ハフニウム系強誘電体の低温作製・極薄膜化・高い強誘電特性を両立させる技術を確立し、配線工程中での作製・低電圧でのデータ読み書き・高信頼性を備えた強誘電体メモリを実現。