0501セラミックス及び無機化学製品 実験・計算・AIを融合した多結晶材料情報学によるマクロからナノへの材料解析手法を構築 ～複雑な多結晶の学理深化と革新材料創成の幕開け～
2023-12-20 名古屋大学 国立大学法人東海国立大学機構 名古屋大学大学院工学研究科の宇佐美 徳隆 教授、横井 達矢 講師、情報学研究科の工藤 博章 准教授、小島 拓人研究員らは、東北大学金属材料研究所の 大野 裕 特任研究員、理化学...
名古屋大学
0501セラミックス及び無機化学製品 
1700応用理学一般 カゴメ金属で起きる自発回転する不思議な電子状態～ナノスケールの永久ループ電流の機構を明らかに～
2023-12-15 京都大学 田財里奈 基礎物理学研究所助教、山川洋一 名古屋大学講師、紺谷浩 同教授の研究グループは、カゴメ格子構造の金属化合物で創発する新奇な相転移―ナノスケールのループ電流秩序―を解明する理論を発見しました。 201...
0110情報・精密機器 宇宙X線を捉える大型ミラーの製造技術を確立～精密電鋳法の開発によりミラーの高精度化に成功～
2023-12-14 東京大学,名古屋大学,夏目光学株式会社 発表のポイント X線望遠鏡用のミラーを、従来よりも高精度に、かつ効率的に作製する技術を開発しました。 電鋳法において、ミラーに生じる欠陥の有効な防止方法を発見したことで、大きなミ...
0100機械一般 ゴムと金属の接着老化に関わる反応の可視化に成功 ～タイヤの長寿命化に向けた研究開発に活用～
2023-11-07 名古屋大学 東海国立大学機構 名古屋大学大学院理学研究科（理化学研究所 放射光科学研究センター 客員研究員）の松井 公佑 講師、村本 雄太 博士前期課程学生（研究当時）、丹羽 瑠星 博士前期課程学生、同大学物質科学国際...
0501セラミックス及び無機化学製品 準安定相型メソポーラス半導体 (CuTe2)の合成に成功 ～光エレクトロニクス材料として優れたテルル化合物の応用に道を～
2023-11-06 早稲田大学 【本研究のポイント】 電気化学的ミセル注1）集積法により、常温下で準安定相型注2）メソポーラス注3）半導体注4） (CuTe2）薄膜の合成に成功した。 準安定相CuTe2薄膜の合成に重要な基板素材として、ア...
1700応用理学一般 X線回折に潜む非線形性の発見～数フェムト秒で引き起こされる物質の電子状態の急激な変化～
2023-10-18 理化学研究所,高輝度光科学研究センター,大阪大学,名古屋大学 理化学研究所（理研）放射光科学研究センター SACLAビームライン基盤グループ ビームライン開発チームの井上 伊知郎 研究員、矢橋 牧名 グループディレクタ...
1702地球物理及び地球化学 グリーンランド氷床南東部高地の夏季融解量の増加を復元 ～グリーンランド南東ドームアイスコアの高精度年代の構築～
2023-10-18 北海道大学,北見工業大学,金沢大学,国立極地研究所,東海国立大学機構,名古屋大学,弘前大学 ポイント グリーンランド南東部アイスコアの1799年～2020年の年代スケールを半年という高精度で確立。 北極域の温暖化に伴っ...
結晶の”ズレ”が音速を超えて伝播することを実証～半世紀にわたる未解決問題を超高速X線イメージングで明らかに～
2023-10-06 大阪大学 研究成果のポイント ハイパワーレーザー(High power laser)駆動の衝撃波により、ダイヤモンド結晶中の“原子レベルのズレ”（転位(dislocation)）が高速に伝播する様子を、X線自由電子レー...
0703金属材料 AIと材料研究者のコラボで耐熱材料を強くする～AIの一見奇抜な「手」から納得の熱処理法を考案～
2023-09-25 物質・材料研究機構 (NIMS) NIMSと名古屋大学からなる研究チームは、人工知能 (AI) と材料研究者の共同作業で、Ni-Al合金の高温強度を従来よりも向上できる新しい二段熱処理法を考案しました。 概要 NIMS...
1702地球物理及び地球化学 海洋内部の巨大な水塊が台風に影響
2023-09-14 東京大学,東北大学,東京海洋大学,名古屋大学,海洋研究開発機構,九州大学 発表のポイント ◆日本の南の海の深さ100～500mに広く分布する水塊「亜熱帯モード水」の厚さの増減が、海面付近の水温を通じて台風の発達・減衰に...
カーボンナノリングのキーホルダー式固定化法の開発 〜金属イオンとの相互作用による機能性材料の創製に期待〜
2023-09-04 九州大学 ポイント 機能性分子カーボンナノリングの新たな固定化・修飾法を開発。 ２つのリング分子が空間的につながった「カテナン注1）構造」の形成により、さまざまな分子構造に対してカーボンナノリングを「キーホルダーのよう...
0704表面技術 ステップアンバンチング現象の発見 ～半導体表面を原子レベルで平坦にする新技術～
2023-07-20 早稲田大学 発表のポイント 従来の半導体製造技術では、SiCウェハ表面を非常に平坦にできるものの加工によるダメージ層が残ったり、ダメージ層はないものの表面が荒くなったりしてデバイス特性に悪影響を及ぼすという課題がありま...