0403電子応用 トポロジカル反強磁性体において電気的に読み書き可能な信号の増強に成功
次世代の情報処理デバイスの主要材料、反強磁性体であるマンガン化合物Ｍｎ３Ｓｎと重金属からなる多層薄膜デバイスの膜界面構造の最適化を試み、電気的に読み書き可能な信号をこれまで報告されていた値よりも３倍大きくすることに成功した。
反強磁性体
0403電子応用 
1700応用理学一般 次世代磁性材料：反強磁性体の持つ普遍的機能性の実証 ～デバイス形状にとらわれない巨大磁気応答～
2021-02-25 東京大学,理化学研究所,科学技術振興機構ポイント 次世代磁性材料として世界的に注目が集まる反強磁性体において、試料形状によらず任意の方向に指向可能な巨大磁気応答を観測。 不揮発性磁気メモリー開発へつながる新たな多値記憶...
0403電子応用 スピン波の巨大な非相反性の制御に成功～人工反強磁性体を用いたスピン波デバイスの実現に向けて～
二つの磁石の磁極が逆方向に結合した人工反強磁性体において、スピン波の巨大な非相反性を制御する事に成功した。