半導体デバイス

高輝度放射光で解き明かすシリコン酸化膜の成長過程～ナノデバイスの世界を支配する界面欠陥とキャリア捕獲～

2022-12-19 日本原子力研究開発機構,東北大学,福井工業高等専門学校【発表のポイント】半導体デバイスの作製には、酸化反応を制御し、欠陥の少ない良質なシリコン酸化膜を作製することが不可欠。しかし、ナノレベルの薄膜領域におけるシリコ...

2022-12-20

0403電子応用

ＥＵＶリソグラフィの性能を向上する露光モジュールを開発

産学共同実用化開発事業ＮｅｘＴＥＰの成果 2018/12/04 科学技術振興機構,大阪大学 ,東京エレクトロン九州株式会社ポイント最先端半導体デバイス製造のための極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィでは、露光光源強度不足で生産性が低く、高...

2018-12-05

0403電子応用