0400電気電子一般 電子機器内の熱流を自在に制御できるメカニズムを発見～次世代デバイスの性能向上と省エネ化に期待～
2025-04-14 東北大学東北大学の小野円佳教授らの研究チームは、アモルファスシリカ（SiO₂）薄膜の熱伝導率を制御する新メカニズムを発見しました。基板と相互作用することで、Si-O結合のリング構造や振動特性が変化し、熱の流れが調整可能...
半導体デバイス
0400電気電子一般 
0403電子応用 半導体デバイスの動作中に内部構造の可視化に成功 ～半導体を評価する新しい手法の提案～
2025-04-09 高エネルギー加速器研究機構,科学技術振興機構高エネルギー加速器研究機構（KEK）物質構造科学研究所に設置されたフェムト秒パルスレーザーを光源とする光電子顕微鏡装置（フェムト秒光電子顕微鏡）を用いて、半導体デバイス動作...
0403電子応用 AI向け半導体デバイスを前進（Advancing semiconductor devices for artificial intelligence）
2025-03-28 シンガポール国立大学（NUS）シンガポール国立大学（NUS）の研究チームは、従来型シリコントランジスタ1個で神経細胞とシナプスの挙動を模倣できることを実証した。これは、エネルギー効率の高い脳型（ニューロモーフィック）コ...
0403電子応用 革新的な半導体試験技術の開発（Next-level semiconductor testing available）
2025-01-16 オークリッジ国立研究所 (ORNL)ORNL researchers have developed an Autonomous Configurable Component Evaluation Power Test ...
0403電子応用 高輝度放射光で解き明かすシリコン酸化膜の成長過程 ～ナノデバイスの世界を支配する界面欠陥とキャリア捕獲～
2022-12-19 日本原子力研究開発機構,東北大学,福井工業高等専門学校【発表のポイント】 半導体デバイスの作製には、酸化反応を制御し、欠陥の少ない良質なシリコン酸化膜を作製することが不可欠。しかし、ナノレベルの薄膜領域におけるシリコン...
0403電子応用 ＥＵＶリソグラフィの性能を向上する露光モジュールを開発
産学共同実用化開発事業ＮｅｘＴＥＰの成果2018/12/04 科学技術振興機構,大阪大学 ,東京エレクトロン九州株式会社ポイント 最先端半導体デバイス製造のための極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィでは、露光光源強度不足で生産性が低く、高コス...