分子層エッチング(MLE)技術

半導体デバイス製造の進展を促進する ANL の新しいエッチング技術 0403電子応用

半導体デバイス製造の進展を促進する ANL の新しいエッチング技術

(New Argonne etching technique could advance the way semiconductor devices are made)より微細で複雑な構造のデバイスの製造を可能にする、分子層エッチング(MLE)技術を開発。
ad
タイトルとURLをコピーしました