低温生成

結晶欠陥の形成メカニズム解明や欠陥を生かした半導体デバイスの実現へ2022-03-28 愛媛大学本研究成果のポイント ビスマス（Bi）系III-V族半導体半金属混晶の一つであるGaAsBi（砒化ガリウムビスマス）の生成において、生成時に使用...