両面ゲートIGBT

両面ゲートIGBTにて62%のスイッチング損失低減に成功 0403電子応用

両面ゲートIGBTにて62%のスイッチング損失低減に成功

2020-12-06 東京大学○添付資料:シリコンウェハに試作された両面ゲートIGBTチップ。後ろの鏡には、裏面のパターンが確認できる。○発表者:更屋 拓哉(東京大学 生産技術研究所 助手)平本 俊郎(東京大学 生産技術研究所 教授)○発表...
ad
タイトルとURLをコピーしました