メモリデバイス技術

0403電子応用

Snを添加したIGZO材料を用いた三次元集積メモリデバイスを開発

Snを添加した酸化物半導体IGZOを用いたトランジスタと強誘電体HfO2キャパシタを集積し、プロセッサの集積回路の配線層に混載可能なメモリデバイス技術の開発に成功した。
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