0403電子応用 シリコンカーバイド（SiC）量子センサーの高感度化を実現！ ～次世代パワー半導体の信頼性向上へ～
2023-09-06 量子科学技術研究開発機構ポイント 量子操作によってシリコンカーバイド（SiC）量子センサーの温度感度を 倍以上向上 これまでの手法では測れなかった100℃以上の高温領域での測定に成功 電源機器等での製品化が進む パワー...
パワー半導体
0403電子応用 
0403電子応用 世界初、ガスからクラックのない1立方センチ級単結晶ダイヤモンドの作製に成功
ダイヤモンド半導体の開発推進により、飛躍的な省エネ社会実現に期待2019-03-20 新エネルギー・産業技術総合開発機構,産業技術総合研究所NEDOが管理法人を務める内閣府プロジェクト「戦略的イノベーション創造プログラム（SIP）／次世代...
0405電気設備 SiCパワー半導体技術を用いた高出力高安定化電源の開発
次世代のパワー半導体デバイスである「SiC MOSFET」を用いて、高出力と高い安定性を両立しつつ、出力電流の方向や大きさを広い範囲で変えられるコンパクトなパルス電源を開発した。