トランジスター

強誘電体であるＨｆＯ２（二酸化ハフニウム）をゲート絶縁膜とするトランジスターがより低電圧で動作する仕組みを実験的に解明した。

平成２９年１２月４日  科学技術振興機構（ＪＳＴ）,東京大学超低消費電力ＬＳＩを可能にする新構造トランジスターを開発～量子トンネル効果を駆使、ＩｏＴの電池寿命を大幅に延長～ポイント 極めて小さな消費電力で動作するトンネル電界効果トランジスタ...