1701物理及び化学 電子の強いスピン軌道相互作用がもたらす量子干渉によりフラットバンドが実現
遷移金属酸化物CsW2O6の理論モデルで、タングステン原子由来の強いスピン軌道相互作用によって、フラットなエネルギーバンドが現れることを発見した。電子がスピン軌道相互作用によってスピンの向きを回転させながら伝搬して量子干渉を起こすという新しいフラットバンドの発現機構を、数学的に厳密に明らかにした。
スピン軌道相互作用
1701物理及び化学 
1700応用理学一般 鉄シリコン化合物における新しいトポロジカル表面状態
地球上に豊富に存在する鉄（Ｆｅ）とシリコン（Ｓｉ）から成る化合物ＦｅＳｉにおいて強いスピン軌道相互作用を示す表面状態が現れることを発見し、その表面状態を用いてスピントロニクス機能を実現しました。ＦｅＳｉの表面状態の特徴が結晶内部の電子状態のトポロジーに由来していて、現代の電気分極理論で用いられる幾何学的位相の概念に関連していることを解明しました。
0403電子応用 シリコンの新しいスピン物性を発見
巧妙かつ人工的にスピン軌道相互作用（SOI）をシリコンに発現させ、外部磁場を全く用いずにシリコン中の流れるスピンを操作することに成功した。この成功により、情報素子の産業応用上最適な材料であるシリコンを用いてスピン演算をよりコンパクトな素子で実現できる道程を開拓することができた。
1701物理及び化学 超薄膜の白金がトランジスタ特性を発揮することを発見
固体物理学における理解を覆す発見 2018/08/08 京都大学 白石誠司 工学研究科教授、セルゲイ・ドゥシェンコ 同博士研究員（研究当時、現：米国標準化研究所及びメリーランド大学研究員）、外園将也 同修士課程学生らの研究グループは中村浩次...