スパッタ法

半導体基板上で非鉛圧電体の性能向上を実証 ~汎用成膜法で多数の条件を同時に評価し実現~ 0403電子応用

半導体基板上で非鉛圧電体の性能向上を実証 ~汎用成膜法で多数の条件を同時に評価し実現~

2026-03-17 大阪公立大学大阪公立大学らは、非鉛圧電材料ビスマス鉄酸化物(BFO)の性能向上を半導体基板上で実証した。従来困難とされたシリコン基板上での性能向上に対し、圧縮ではなく引張ひずみを活用する発想により構造相転移を誘起し、圧...
スパッタ法を用いて高品質なScAlN薄膜の作製に成功 ~成長温度の系統的変化が構造特性と電気特性に及ぼす影響を解明~ 0403電子応用

スパッタ法を用いて高品質なScAlN薄膜の作製に成功 ~成長温度の系統的変化が構造特性と電気特性に及ぼす影響を解明~

2025-08-08 東京理科大学,住友電気工業株式会社,東京大学東京理科大学、住友電気工業、東京大学の共同研究チームは、産業的に汎用性の高いスパッタ法で高品質な窒化スカンジウムアルミニウム(ScAlN)薄膜の作製に成功しました。成長温度を...
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