スイッチング損失

低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に低減したSiC MOSFETを開発

2022-07-22 東芝デバイス＆ストレージ株式会社東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に削減したSiC（炭化ケイ素） MOSFET注1を開発しました。本技術により、当社の第二世代SiC MOSFET製...

2022-07-27

0403電子応用