スイッチング損失

低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に低減したSiC MOSFETを開発 0403電子応用

低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に低減したSiC MOSFETを開発

2022-07-22 東芝デバイス&ストレージ株式会社 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に削減したSiC(炭化ケイ素) MOSFET注1を開発しました。本技術により、当社の第二世代SiC MOSFET製...
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