0403電子応用 パワー半導体のスイッチング損失を自動低減するゲート駆動ICチップの適用範囲を拡大～一般的な3本足パッケージのパワー半導体にも適用可能に～
2025-03-17 東京大学東京大学生産技術研究所の高宮真教授らの研究グループは、パワー半導体のスイッチング損失を自動で低減するゲート駆動ICチップの適用範囲を拡大した。従来は4本足パッケージに限られていたが、今回の改良により、一般的な3...
スイッチング損失
0403電子応用 
0403電子応用 パワー半導体のスイッチング損失を自動低減するゲート駆動ICチップの適用範囲を約5倍に拡大します～一般的な3端子パッケージのパワー半導体にも適用可能に～
2025-03-17 新エネルギー・産業技術総合開発機構図1 開発した自動波形変化ゲート駆動ICのチップ写真（提供：東京大学生産技術研究所）国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）は、東京大学生産技術研究所を中心と...
0403電子応用 低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に低減したSiC MOSFETを開発
2022-07-22 東芝デバイス＆ストレージ株式会社東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に削減したSiC（炭化ケイ素） MOSFET注1を開発しました。本技術により、当社の第二世代SiC MOSFET製品...