シリコンIGBT

両面ゲートIGBTにて６２%のスイッチング損失低減に成功

2020-12-06 東京大学 ○添付資料：シリコンウェハに試作された両面ゲートIGBTチップ。後ろの鏡には、裏面のパターンが確認できる。 ○発表者：更屋拓哉（東京大学生産技術研究所助手）平本俊郎（東京大学生産技術研究所教...

2020-12-07

0403電子応用