シリコン量子ビット

シリコン量子ビット素子の特性が長い周期で変化する主な原因を特定~量子コンピューターの安定動作を実現する基本素子の製造技術開発に前進~ 0403電子応用

シリコン量子ビット素子の特性が長い周期で変化する主な原因を特定~量子コンピューターの安定動作を実現する基本素子の製造技術開発に前進~

2024-12-08 産業技術総合研究所ポイント シリコンFin型量子ビット素子における長周期の特性変化を解析 絶縁膜/半導体界面における電子のトラップ現象が特性変化の原因であることを初めて特定 量子コンピューターの利用可能時間を制限する各...
シリコン量子ビット間で強い誤り相関を観測~シリコン量子コンピュータの将来設計に重要な示唆~ 1601コンピュータ工学

シリコン量子ビット間で強い誤り相関を観測~シリコン量子コンピュータの将来設計に重要な示唆~

2023-10-10  理化学研究所,東京工業大学理化学研究所(理研)創発物性科学研究センター 量子機能システム研究グループの樽茶 清悟 グループディレクター、量子システム理論研究チームのダニエル・ロス チームリーダー、東京工業大学 超スマ...
シリコン量子ビットのフィードバック型初期化技術を開発 ~量子コンピューターデバイスの不完全性に処方箋~ 1601コンピュータ工学

シリコン量子ビットのフィードバック型初期化技術を開発 ~量子コンピューターデバイスの不完全性に処方箋~

2023-06-01 理化学研究所,科学技術振興機構理化学研究所(理研)量子コンピュータ研究センター 半導体量子情報デバイス研究チームの小林 嵩 研究員、樽茶 清悟 チームリーダーらの研究チームは、シリコン中の電子スピンによる量子ビットを測...
シリコン量子ビットの高温動作に成功 0403電子応用

シリコン量子ビットの高温動作に成功

シリコン中の「深い不純物(アルミ-窒素不純物ペア)」の電子スピンを用いることで、従来よりも100倍以上高い温度(10K)での量子ビット動作を実現した。
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