シリコンカーバイド半導体

逆転の発想でSiCパワー半導体の高品質化に成功~非酸化による酸化膜形成で高品質化10倍~ 0403電子応用

逆転の発想でSiCパワー半導体の高品質化に成功~非酸化による酸化膜形成で高品質化10倍~

2020-08-24 京都大学  木本恒暢 工学研究科教授、松下雄一郎 東京工業大学特任准教授、小林拓真 同博士研究員らの研究グループは、省エネの切り札と言われるSiC(シリコンカーバイド)半導体で20年以上にわたって大きな問題になっていた...
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