ゲルマナン

水素終端ゲルマニウム層状半導体（ゲルマナン）において記録的な正孔移動度を達成 ──2D/3D同一元素ヘテロ界面による新たな材料開発の指針──

2026-04-09 東京大学東京大学大学院総合文化研究科の研究チームは、水素終端ゲルマニウム層状半導体「ゲルマナン（GeH）」において、記録的な正孔移動度（67,000 cm²/Vs）を達成した。3Dゲルマニウム基板上に2Dゲルマナンを形...

2026-04-09

0403電子応用