窒化ガリウム半導体

窒化ガリウム (GaN) ウエハ全面の「ゆがみ」をすばやく詳細に可視化する新手法を開発 0403電子応用

窒化ガリウム (GaN) ウエハ全面の「ゆがみ」をすばやく詳細に可視化する新手法を開発

窒化ガリウム (GaN) 半導体の直径2インチウエハ結晶面の「ゆがみ」を、ウエハ全面を一度に、しかも数10マイクロメートルの空間分解能で可視化する新たな評価手法を開発しました。
ad
タイトルとURLをコピーしました