2025-03-24

ダイヤモンドスピン量子ビットの高精度量子ゲート操作技術を開発~誤り訂正を可能にする、エラー確率0.1%未満の高精度操作に世界で初めて成功~ 1600情報工学一般

ダイヤモンドスピン量子ビットの高精度量子ゲート操作技術を開発~誤り訂正を可能にする、エラー確率0.1%未満の高精度操作に世界で初めて成功~

2025-03-24 富士通株式会社富士通はデルフト工科大学・QuTechと共同で、ダイヤモンドスピン方式量子コンピュータにおける量子ゲート操作で、エラー率0.1%未満の高精度動作を実現した。これは誤り耐性量子計算(FTQC)に必要な水準で...
新規ウルツ鉱構造の絶縁体物質の創生に成功~圧電体、強誘電体の材料群を飛躍的に増やす可能性を示唆~ 1700応用理学一般

新規ウルツ鉱構造の絶縁体物質の創生に成功~圧電体、強誘電体の材料群を飛躍的に増やす可能性を示唆~

2025-03-24 東京科学大学​東京科学大学(Science Tokyo)物質理工学院の研究チームは、マグネシウム(Mg)とシリコン(Si)を含む新たなウルツ鉱構造の窒化物絶縁体「MgSiN₂」の薄膜作製に成功しました。​従来、ウルツ鉱...
層厚を制御した人工強磁性細線の作製に成功~人工強磁性細線を利用した大容量メモリや磁気センサ開発へ道筋~ 0403電子応用

層厚を制御した人工強磁性細線の作製に成功~人工強磁性細線を利用した大容量メモリや磁気センサ開発へ道筋~

2025-03-24 岐阜大学​岐阜大学大学院自然科学技術研究科の研究グループは、名古屋大学、早稲田大学、京都大学と共同で、層厚を制御した多層構造の人工強磁性細線の作製に成功しました。​この細線は、二浴電析法と細孔ナノテンプレートを用いて作...
半導体の製造プロセスを”一気通貫”で最適化!AI活用により企業の壁を越えスピーディな性能改善に貢献 0403電子応用

半導体の製造プロセスを”一気通貫”で最適化!AI活用により企業の壁を越えスピーディな性能改善に貢献

2025-03-24 名古屋大学​名古屋大学未来材料・システム研究所の宇治原徹教授らの研究グループは、AIを活用して半導体製造プロセス全体を最適化するプラットフォーム「メタファクトリー」を開発しました。​このプラットフォームでは、Siウェー...
ガラスの機能を高めるナノ周期構造を高効率に形成~データ駆動型レーザー加工によって欠損率の低いナノ構造を実現~ 0110情報・精密機器

ガラスの機能を高めるナノ周期構造を高効率に形成~データ駆動型レーザー加工によって欠損率の低いナノ構造を実現~

2025-03-24 産業技術総合研究所産業技術総合研究所と東京農工大学は、ガラス表面にナノ周期構造を高効率・低欠損で形成するデータ駆動型レーザー加工技術を開発した。従来のフェムト秒レーザー加工はクラックなどの欠損が多かったが、本技術ではリ...
ダイヤモンドパワーデバイスのアンペア級の高速スイッチング動作を確認~次世代モビリティのパワーユニット駆動に向けたダイヤモンドパワー半導体~ 0403電子応用

ダイヤモンドパワーデバイスのアンペア級の高速スイッチング動作を確認~次世代モビリティのパワーユニット駆動に向けたダイヤモンドパワー半導体~

2025-03-24 産業技術総合研究所産業技術総合研究所と本田技術研究所は、自動車駆動用途に向けた高電圧・大電流対応のダイヤモンドMOSFETを開発した。これは2.5アンペア動作で立下り時間19ナノ秒、立上り時間32ナノ秒の高速スイッチン...
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