2018-10-13

クロム酸化物反強磁性体薄膜の微弱磁化を自在に制御する技術を開発 1701物理及び化学

クロム酸化物反強磁性体薄膜の微弱磁化を自在に制御する技術を開発

クロム酸化物の反強磁性スピンを可視化する技術を利用した材料開発により、クロム酸化物反強磁性体薄膜に、任意の大きさと方向を持つ微弱磁化(寄生強磁性磁化)を付与する技術を開発した。
高強度テラヘルツパルスによる相変化材料の新たな結晶成長機構の発見~ナノスケールの新規メモリデバイス開発に期待~ 1701物理及び化学

高強度テラヘルツパルスによる相変化材料の新たな結晶成長機構の発見~ナノスケールの新規メモリデバイス開発に期待~

高強度テラヘルツパルスを相変化材料GeSbTe化合物に照射すると、アモルファス状態からナノスケールで結晶成長する機構を発見した。世界最高強度のテラヘルツパルスの発生技術を駆使することで、ナノスケールの結晶成長が生じることを明らかにした.。
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