SiCウェハ

ステップアンバンチング現象の発見～半導体表面を原子レベルで平坦にする新技術～

2023-07-20 早稲田大学発表のポイント従来の半導体製造技術では、SiCウェハ表面を非常に平坦にできるものの加工によるダメージ層が残ったり、ダメージ層はないものの表面が荒くなったりしてデバイス特性に悪影響を及ぼすという課題がありまし...

2023-07-20

0704表面技術