PoX

新型フラッシュメモリーデバイスを開発(Reserachers develop flash memory device) 0403電子応用

新型フラッシュメモリーデバイスを開発(Reserachers develop flash memory device)

2025-04-17 復旦大学復旦大学の研究チームは、400ピコ秒という世界最速の書き込み速度を持つフラッシュメモリ「PoX」を開発し、『Nature』誌に発表した。この速度は1秒間に250億回の動作に相当し、従来の非揮発性メモリの限界を打...
ad
タイトルとURLをコピーしました