1603情報システム・データ工学 複数の自律自動AIシステムが自発的に連携して材料研究を推進～新規材料発見を全体効率化する自律自動AIネットワーク技術を開発～
2025-12-10 物質・材料研究機構,筑波大学科学技術振興機構NIMS・筑波大学・JSTの研究チームは、複数の自律自動AIシステムが互いに自発的にナレッジ（学習した知見）を共有して連携し、新規材料探索を効率化する「自律自動AIネットワー...
NIMS
1603情報システム・データ工学 
0500化学一般 組成傾斜薄膜に対応したAIベース自律材料探索システムを開発～最高性能を示す新しい磁気機能材料薄膜の高効率な開拓に成功～
2025-11-20 物質・材料研究機構,科学技術振興機構NIMSとJSTの研究チームは、組成が連続的に変化する「組成傾斜薄膜」を対象に、大量データの自動解析とAIによる最適組成予測を可能にする自律材料探索システムを開発した。組成傾斜薄膜か...
0403電子応用 イオンゲルとグラフェンで、機械学習の計算を劇的に省力化できるAIデバイスを実現～エッジAI向け省エネ技術として期待～
2025-10-14 物質・材料研究機構,東京理科大学,神戸大学,科学技術振興機構Web要約 の発言：物質・材料研究機構（NIMS）は、イオンゲルとグラフェンを組み合わせた新型AIデバイスを開発し、機械学習の計算を大幅に省力化できることを実...
1701物理及び化学 スピンの集団運動で熱の流れを操る新しい手法を実証 ～磁性体による革新的な熱輸送制御技術へ一歩前進～
2025-10-06 物質・材料研究機構）,東京大学,産業技術総合研究所,大阪大学,東北大学,科学技術振興機構物質・材料研究機構（NIMS）の研究チームは、磁性体内部のスピンの集団運動（スピン波）を利用して、熱の流れを制御する新しい手法を実...
0501セラミックス及び無機化学製品 AI時代を支える新磁性体、二酸化ルテニウム薄膜の「交代磁性」を実証〜AI・データセンター向け高速・高密度メモリ開発に期待〜
2025-09-24 物質・材料研究機構,東京大学,京都工芸繊維大学,東北大学物質・材料研究機構（NIMS）は、二酸化ルテニウム（RuO₂）薄膜における交代磁性の実証に成功した。交代磁性はスピンが互いに打ち消し合う配置で強磁性とは異なるが、...
0402電気応用 1Wh級の積層型リチウム空気電池を開発〜「高出力」「長寿命」「大型化」を同時に実現するカーボン電極を開発〜
2025-09-19 物質・材料研究機構,東洋炭素株式会社NIMS（物質・材料研究機構）は、世界初となる1Wh級の積層型リチウム空気電池を開発した。従来は小型セルに限られていたが、今回の研究では酸素極の多孔質設計と積層化技術により、世界最大...
1701物理及び化学 理論計算によるホイスラー合金の包括的データベースを創出〜格子振動安定性や磁性を含む多面的な物性情報を公開〜
2025-09-18 物質・材料研究機構物質・材料研究機構（NIMS）は、理論計算に基づきホイスラー合金の包括的データベースを構築した。高スループット計算により1万超の組成を網羅的に解析し、磁性・熱電・触媒特性など応用可能な材料群を抽出。既...
0505化学装置及び設備 AI嗅覚センサのニオイ識別過程の可視化に成功〜ニオイ分子ごとに最適な感応材料の開発指針を提供〜
2025-09-11 物質・材料研究機構NIMSは人工嗅覚センサの実用化に向け、説明可能AI（XAI）を用いてニオイ識別の過程を可視化することに成功した。94種類のニオイ分子を14種類の感応材料を備えた嗅覚センサMSSで測定し、AI解析によ...
0403電子応用 電力ロスを大幅に低減！革新的な鉄系磁性材料を開発〜新たな組織と磁化制御技術で実現 次世代トランス・EV部品への応用に期待〜
2025-09-03 物質・材料研究機構,東北大学,産業技術総合研究所NIMS、東北大学、産総研の共同研究チームは、鉄系軟磁性アモルファスリボンに新たなナノ組織・磁区構造の制御技術を導入し、電力損失を従来比で50%以上低減することに成功しま...
0500化学一般 従来比30倍の高速実験で新しい磁気センサー材料を発見～AIによるデータ解析・予測による超効率的開発に成功～
2025-09-04 物質・材料研究機構,科学技術振興機構Web要約 の発言：NIMSとJSTの研究チームは、磁性材料の異常ホール効果を従来比30倍の速さで測定できる新手法を開発しました。1枚の試料内で組成を連続的に変化させる「組成傾斜薄膜...
0110情報・精密機器 電子顕微鏡と機械学習で２次元原子層材料の微細構造を高精度に解析〜単層MoS2膜のツイストと極性をナノレベルで丸ごと可視化〜
2025-08-25 物質・材料研究機構NIMSらの研究チームは、走査透過電子顕微鏡（4D-STEM）と機械学習を組み合わせ、次世代半導体材料として注目される単層二硫化モリブデン（MoS₂）膜の微細構造をナノメートルスケールで広範囲かつ高精...
0403電子応用 高エントロピー酸化物で低抵抗・高性能TMR素子を実現〜大容量磁気ストレージでスマート社会を支える新材料〜
2025-07-09 物質・材料研究機構NIMSは、高エントロピー酸化物「LiTiMgAlGaO」をTMR素子のバリア層に用い、強い垂直磁化、高TMR比（80％超）、低電気抵抗の同時実現に成功した。従来のMgOバリアに比べてバリア高さが半分...