NbAlN

新規窒化物半導体ヘテロ接合における二次元電子の量子輸送特性を解明 ―次世代GaNトランジスタの性能向上に道筋―

2026-11-09 東京大学東京大学と東京理科大学の研究グループは、新規窒化物半導体である窒化ニオブアルミニウム（NbAlN）と窒化ガリウム（GaN）のヘテロ接合に形成される二次元電子ガス（2DEG）の量子輸送特性を明らかにした。反応性ス...

2026-11-10

0403電子応用